Руководство по альтернативам FP75R12KT3, функциям, таблицу данных
2025-03-29 152

FP75R12KT3 представляет собой модуль мощности 1200 В, 75, созданный Infineon Technologies.Он сочетает в себе выпрямитель, инвертор и тормозный вертолет в одном компактном устройстве, что делает его идеальным для моторных приводов, солнечных инверторов и систем UPS.Благодаря таким функциям, как низкая потеря мощности, хорошая обработка тепла и легкую установку, это помогает повысить производительность и надежность системы.Эта статья охватывает свои основные функции, использование, преимущества и то, как она сравнивается с другими подобными продуктами.

Каталог

FP75R12KT3 Обзор

А FP75R12KT3 является высокопроизводительным интегрированным модулем мощностью 1200 В, 75A IGBT (PIM), размещенным в компактном и эффективном пакете Econopim ™ 3.Он интегрирует трехфазный входной выпрямитель, стадию инвертора и тормозной вертолет, что делает его идеальным для моторных дисков, систем ИБП и солнечных инверторов.Разработанная с помощью низкой индуктивности и передовой технологии Trenchstop ™ IGBT3, она обеспечивает высокую эффективность, низкие потери переключения и превосходные тепловые характеристики с помощью базовой плиты меди.Модуль поддерживает напряжение насыщения коллекционера -эмиттера всего 1,70 В (типично), надежно работает в пределах от -40 ° C до 125 ° C и включает в себя термистор NTC для мониторинга температуры встроенной температуры.Благодаря соответствию ROHS, припаями для простоты установки и компактной конструкции, это обеспечивает надежные и надежные результаты в требовании промышленного применения.

Для предприятий, заинтересованных в обновлении своих систем или крупномасштабных Проекты, мы рекомендуем вам разместить свои массовые заказы на FP75R12KT3 сегодня, чтобы обеспечить надежное и эффективное решение для Ваши потребности в управлении мощностью.Обратитесь сейчас, чтобы обеспечить доступность и конкурентоспособные цены.

Функции FP75R12KT3

•Интегрированный трехфазный выпрямитель: Облегчает компактные и эффективные конструкции путем объединения компонентов основной мощности.

•Технология быстрого траншеи IGBT3: Обеспечивает низкие потери переключения и высокую эффективность работы.

•Высокоэффективный диод: Повышает производительность с уменьшенной рассеянностью мощности.

• Низкий дизайн индуктивности: Минимизирует индуктивные потери, повышая общую эффективность модуля.

• Медная базовая плита: Обеспечивает отличную теплопроводность для эффективного рассеяния тепла.

•Приковаемые булавки: Позволяет обеспечить безопасные и надежные электрические соединения во время сборки.

•Интегрированный NTC Thermistor: Обеспечивает точный мониторинг температуры для повышенной защиты системы.

• ROHS Соответствие: Соответствует экологическим стандартам, ограничивая опасные вещества.

Схема схемы FP75R12KT3

Эта схема для модуля FP75R12KT3 IGBT иллюстрирует стандарт конфигурация а 3-фазный инвертор система, которая также включает выпрямитель и тормозный вертолет Схема, все интегрировано в один компактный модуль.

На а правая сторона, стадия инвертора образуется шестью IGBT в сочетании с Свободные диоды, настроенные как 3-фазный мост.Каждая фаза вывода - U, V, и w-полустал, сделанный из двух IGBT.Фаза u использует IGBT, подключенные к Терминалы 27 (Высокие ворота), 26 (коллекционер) и 13/14 (эмиттер) для Верхний выключатель, в то время как клеммы 7/8 (ворота), 24 (коллекционер), и 20 (эмиттер) есть Для нижнего переключателя.Фаза V следует со соединениями через терминалы 25, 9/10, 24, 19 и 18ПолемФаза W завершает мост с терминалами 23, 11/12, 22, и общие излучатели на терминал 18.

Приложения FP75R12KT3

• Моторные диски: Используется в контроле и управлении электродвигателями по различным промышленным механизмам, повышая производительность и энергоэффективность.

• Возобновляемые энергетические системы: Используется в солнечных инверторах и других приложениях для возобновляемой энергии для эффективного преобразования и управления электроэнергией из возобновляемых источников.

• Промышленная автоматизация: Интегрирован в автоматизированные системы для обеспечения точного управления электроникой питания, способствуя повышению надежности и производительности.

• Бесперебойные источники питания (UPS): Используется в системах UPS для обеспечения непрерывной доставки энергии и защиты от нарушений питания.

FP75R12KT3

Имя параметра и символ	Значение и единица
Напряжение коллекционера-эмиттер (vПоступок)	1200 В.
Непрерывный ток коллекционера DC в TC = 80 ° C (яПособия)	75 а
Непрерывный ток коллекционера DC в TC = 25 ° C (яВ)	105 а
Повторяющийся пик ток коллекционера (iCRM)	150 а
Общее рассеяние мощности при TC = 25 ° C (Pмат)	355 Вт
Пиковое напряжение затвора-эмиттера (VГес)	+/- 20 В.

Имя параметра и символ	Значение и единица
Напряжение коллекционера-эмиттер (vПоступок)	1200 В.
Непрерывный ток коллекционера постоянного тока (iПособия)	75 а
Непрерывный ток коллекционера постоянного тока (iВ	100А
Повторяющийся пик ток коллекционера (iCRM)	150 а
Общее рассеяние мощности (Pмат)	355 Вт
Пиковое напряжение затвора-эмиттера (VГес)	+/- 20 В.

Диод, выпрямитель

Имя параметра и символ	Значение и единица
Повторяющееся пиковое обратное напряжение (VRrm)	1600 v
Максимальный среднеквадратичный ток вперед на чип (iFRMSM)	80 а
Максимальный среднеквадратичный ток при выпрямительном выходе (ЯRMSM)	115 а
Вплеснуть вперед ток на tVj = 25◦C (iFSM)	500 а
Вплеснуть вперед ток на tVj = 150 ° C (iFSM)	400 а
I²T Value at tVj = 25◦C (i²t)	1250 A²S
I²T Value at tVj = 150 ° C (I²t)	800 A²S

Имя параметра и символ	Значение и единица
Напряжение коллекционера-эмиттер (vПоступок)	1200 В.
Непрерывный ток коллекционера постоянного тока (iПособия)	40 а
Непрерывный ток коллекционера постоянного тока (iВ)	55 а
Повторяющийся пик ток коллекционера (iCRM)	80 а
Общее рассеяние мощности (Pмат)	210 Вт
Пиковое напряжение затвора-эмиттера (VГес)	+/- 20 В.

Имя параметра и символ	Значение и единица
Повторяющееся пиковое обратное напряжение (VRrm)	1200 В.
Непрерывный ток вперед постоянного тока (iФон)	25 а
Повторяющийся пик вперед (яФрм)	50 а
I²T-значение (I²T)	170 A²S

FP75R12KT3 Преимущества и недостатки

Преимущества

• Интегрированный дизайн: Сочетает трехфазный входной выпрямитель, стадию инвертора и тормозной вертолет, упрощающую архитектуру системы и уменьшение количества компонентов.

• Низкая бездомная индуктивность: Минимизирует индуктивные потери, повышение общей эффективности и производительности.

• Высокая надежность и плотность мощности: Обеспечивает надежную производительность в компактных приложениях, что делает его подходящим для ограниченных космическими средами.

• Медная базовая плита: Обеспечивает оптимизированное рассеяние тепла, способствуя эффективному тепловому управлению.

• Приковаемые булавки: Облегчает безопасные и надежные электрические соединения во время сборки.

• Низкие потери переключения: Повышает эффективность во время высокочастотных операций, снижая потребление энергии.

• ROHS Соответствие: Следует за экологическими стандартами, ограничивая опасные вещества, соответствующие глобальным нормативным требованиям.

Недостатки

• Более высокое напряжение в штате: По сравнению с некоторыми другими полупроводниковыми устройствами, IGBT, такие как FP75R12KT3, могут иметь более высокое падение напряжения в штате, что может повлиять на эффективность в определенных приложениях.

• Ограничения скорости переключения: Предлагая низкие потери переключения, IGBT обычно имеют более медленные скорости переключения по сравнению с MOSFET, что может повлиять на производительность в очень высокочастотных приложениях.

• Поток однонаправленного тока : IGBT проводят ток в одном направлении, что требует дополнительной схемы для приложений, требующих двунаправленного потока тока.

FP75R12KT3 Альтернативные продукты

FP75R12KT3 Плакат пакета

Электрический Терминалы явно расположены и помечены по верхнему краю, с штифтом приблизительно От 5 мм до 6 мм, поддерживая легкую интеграцию в Печатные платы или соединения шины.Силовые терминалы для DC Ссылка, выходы переменного тока и подключения затвора расположены для упрощения проводки и уменьшить паразитическую индуктивность.

FP75R12KT3 Производитель

FP75R12KT3 изготовлен Infineon Technologies, ведущая глобальная полупроводниковая компания, специализирующаяся на энергетических системах и решениях IoT.Infineon предлагает всеобъемлющий портфель полупроводниковых продуктов, включая микроконтроллеры, датчики и полупроводники электропроводников, такие как промышленные отрасли, такие как автомобильная, промышленная и потребительская электроника.FP75R12KT3 иллюстрирует приверженность Infineon предоставлять высококачественные, эффективные и надежные компоненты для промышленных применений.

FP75R12KT3 Общие проблемы и решения

• Перегрев

Используйте надлежащие радиаторы, воздушные потоки и тепловые материалы для раздела и следите за температурой со встроенным термистором NTC, чтобы предотвратить перегрев.

• Сбой привода ворот

Убедитесь, что напряжение-эмиттер-эмиттер остается в пределах ± 20 В и используйте совместимые драйверы затвора с соответствующими резисторами, чтобы предотвратить неисправность привода затвора.

• Повреждение короткого замыкания

Защитите модуль с помощью датчиков с быстрым действием тока и цепей обнаружения десатурации, чтобы смягчить риски из перегрузки и короткого замыкания.

• Сбой соединения

Избегайте проблем с подключением к кондиционеру, используя безопасные монтажные планы и высококачественные методы паяли для выдержания теплового и механического напряжения.

• Чрезмерные потери переключения

Уменьшите потери переключения путем работы в рамках рекомендуемого диапазона частот и оптимизируя схемы снуббера для ограничения перехвата и EMI.

Сравнение: FP75R12KT3 против FP75R12KT4BOSA1

А FP75R12KT3 и FP75R12KT4BOSA1 являются оба 1200 В, 75 А Интегрированные мощные модули (PIM) из Infineon Technologies, предназначенные для обслуживания требовательных промышленных приложений, таких как моторные приводы, системы UPS и солнечные инверторы.Они имеют ряд функций, включая Низкая бездомная индуктивностьВ высокая надежность, медные базовые панели для Эффективное тепловое рассеяние, припаяемые булавки, низкие потери переключения и соответствие ROHS.Основная разница между двумя лежит в технологии IGBT, которую они используют.FP75R12KT3 построен с помощью технологии Infineon's Trenchstop ™ IGBT3, которая обеспечивает низкие потери переключения и надежную производительность.Напротив, FP75R12KT4BOSA1 использует более новую технологию TrenchStop ™ IGBT4, предлагая повышенную производительность переключения и общую эффективность.В результате, хотя оба модуля хорошо подходят для аналогичных сред, FP75R12KT4BOSA1 обеспечивает улучшенные электрические характеристики и лучше оптимизирован для применений, требующих более высоких скоростей переключения и более низких потерь проводимости.

Заключение

FP75R12KT3 - это сильный, надежный модуль мощности, который отлично подходит для многих промышленных использования.Это легко использовать, работает эффективно и экономит пространство.Хотя есть несколько пределов, таких как более медленное переключение, оно все еще очень хорошо работает.Если вы ищете надежное решение для ваших энергетических систем, сильной защиты от всплеска, хороших тепловых характеристик и доверенного Бренд за этим, MFP75R12KT3 - отличный выбор для тех, кто нуждается в Высокопроизводительный модуль, особенно для объемного использования в долгосрочной перспективе проекты

DataSheet PDF

FP75R12KT3 DataShings: