FDA28N50F | |
---|---|
Тип продуктов | FDA28N50F |
производитель | onsemi |
Описание | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
Кол-во в наличии | 9350 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | 1.FDA28N50F.pdf2.FDA28N50F.pdf3.FDA28N50F.pdf4.FDA28N50F.pdf5.FDA28N50F.pdf6.FDA28N50F.pdf7.FDA28N50F.pdf8.FDA28N50F.pdf9.FDA28N50F.pdf |
FDA28N50F Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация FDA28N50F | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | FDA28N50F | категория | |
производитель | onsemi | Описание | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
Пакет / чехол | TO-3PN | Кол-во в наличии | 9350 pcs |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-3PN |
Серии | UniFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 14A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 310W (Tc) | Упаковка / | TO-3P-3, SC-65-3 |
Упаковка | Tube | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5387 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 28A (Tc) |
Базовый номер продукта | FDA28 | ||
Скачать | FDA28N50F PDF - EN.pdf |
FDA28N50F
Мосфет N-канал с напряжением 500 В и током 28 А, предназначенный для приложений с высокой эффективностью управления питанием.
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Высокое напряжение до 500 В. Непрерывный ток стока 28 А при 25°C. Низкое значение Rds(on) 175 мОм для максимизации эффективности. Высокая мощность рассеяния 310 Вт. Установка с использованием сквозных отверстий для легкой инсталляции.
Эффективно работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Поддерживает заряд затвора 105nC при 10 В. Входная емкость 5387pF при 25 В. Напряжение привода 10 В для оптимального Rds On.
Тип FET: N-канал. Напряжение от стока до истока (Vdss): 500 В. Ток - Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 28 А. Rds On (Макс) при Id, Vgs: 175 мОм. Vgs(th) (Макс) при Id: 5 В. Заряд затвора (Qg) (Макс) при Vgs: 105nC. Входная емкость (Ciss) (Макс) при Vds: 5387pF. Напряжение привода (Макс Rds On, Мин Rds On): 10 В.
Корпус: TO-3P-3, SC-65-3. Упаковка устройства поставщика: TO-3PN. Упаковка: Тубус.
Не содержит свинца и соответствует стандартам RoHS. Уровень чувствительности к влажности (MSL): 1 (Без ограничений).
Высокие напряжение и ток, подходящие для требовательных приложений. Низкое сопротивление на включенном состоянии помогает уменьшить потери энергии.
Конкурентоспособный срок поставки 6 недель. Часть серии UniFET, известной надежностью и производительностью.
Совместимость с обычными процедурами установки через отверстия.
Статус без свинца / Статус RoHS: Без свинца / Соответствует RoHS.
Прочная конструкция, подходящая для промышленных приложений с широким диапазоном рабочих температур.
Блоки питания. Управление двигателями. Инверторные схемы. Блоки питания с переключением.
FDA28N50F сток | FDA28N50F Цена | FDA28N50F Электроника | |||
FDA28N50F Компоненты | FDA28N50F Инвентарь | FDA28N50F Digikey | |||
Поставщик FDA28N50F | Заказать FDA28N50F онлайн | Запрос FDA28N50F | |||
FDA28N50F Image | FDA28N50F фото | FDA28N50F PDF | |||
FDA28N50F Datasheet | Скачать таблицу FDA28N50F | Производитель |
Связанные части для FDA28N50F | |||||
---|---|---|---|---|---|
Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
![]() |
FDA38N30 IC | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA24N40F | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA4100LV-T | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
![]() |
FDA24AD | FAIRCHILD TO-252 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA450LV | IC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFP | STMicroelectronics | ||
![]() |
FDA28N50 MOS | ON TO-3P | ON | ||
![]() |
FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA4100LV | IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD | STMicroelectronics | ||
![]() |
FDA24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA24N50 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA30N06 | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA2712 | MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FDA33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN | onsemi | ||
![]() |
FDA38N08 | FDA38N08 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA38N30 MOS | FAIRCHILD TO-247 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDA38N30 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | Fairchild Semiconductor |
Новости
БольшеMicrochip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
БольшеФотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.