FDN5618P | |
---|---|
Тип продуктов | FDN5618P |
производитель | onsemi |
Описание | MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 |
Кол-во в наличии | 40000 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | 1.FDN5618P.pdf2.FDN5618P.pdf3.FDN5618P.pdf4.FDN5618P.pdf5.FDN5618P.pdf6.FDN5618P.pdf7.FDN5618P.pdf8.FDN5618P.pdf9.FDN5618P.pdf10.FDN5618P.pdf |
FDN5618P Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация FDN5618P | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | FDN5618P | категория | |
производитель | onsemi | Описание | MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 |
Пакет / чехол | SOT-23-3 | Кол-во в наличии | 40000 pcs |
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | SOT-23-3 |
Серии | PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.25A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 500mW (Ta) | Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 430 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 13.8 nC @ 10 V | Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.25A (Ta) |
Базовый номер продукта | FDN5618 | ||
Скачать | FDN5618P PDF - EN.pdf |
FDN5618P
P-канальный МОП-транзистор для силового переключения и усиления
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Тип P-канала для упрощенных конфигураций управления
Высокая напряженческая стойкость до 60 В
Низкое сопротивление в открытом состоянии 170 мОм
Поддерживает быстрое переключение с зарядом затвора 13,8 нК
Работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C
Максимальный ток дренажа 1,25 А при 25°C
Низкое рассеяние мощности 500 мВт, обеспечивающее тепловую стабильность
Напряжение дренажа до источника (Vdss): 60 В
Ток - Непрерывный дренаж (Id) при 25°C: 1,25 А
Rds On (макс) при Id, Vgs: 170 мОм при 1,25 А, 10 В
Заряд затвора (Qg) макс при Vgs: 13,8 нК при 10 В
Входная ёмкость (Ciss) макс при Vds: 430 пФ при 30 В
Поверхностный монтаж TO-236-3, SC-59, пакет SOT-23-3
Упакован в Digi-Reel для оптимизации обработки и хранения
Не содержит свинца и соответствует стандартам RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1, что указывает на высокую надежность и стойкость к влаге
Оптимизирован для операций с низковольтным управлением
Высокая надежность и производительность в экстремальных условиях
Использует технологию PowerTrench для повышения производительности и эффективности
Стандартное время поставки 42 недели демонстрирует спрос на продукт и точность производства
Совместим с оборудованием стандартной технологии поверхностного монтажа
Подходит для автоматизированных процессов сборки печатных плат
Соответствует строгим глобальным экологическим стандартам, включая RoHS
Разработан для длительного срока службы в жестких условиях
Экологически чистые материалы повышают устойчивость
Используется в схемах управления питанием
Подходит для переключающих приложений в потребительской электронике
Идеален для использования в приложениях с низковольтным управлением
FDN5618P сток | FDN5618P Цена | FDN5618P Электроника | |||
FDN5618P Компоненты | FDN5618P Инвентарь | FDN5618P Digikey | |||
Поставщик FDN5618P | Заказать FDN5618P онлайн | Запрос FDN5618P | |||
FDN5618P Image | FDN5618P фото | FDN5618P PDF | |||
FDN5618P Datasheet | Скачать таблицу FDN5618P | Производитель |
Связанные части для FDN5618P | |||||
---|---|---|---|---|---|
Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
![]() |
FDN372S-NL IC | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDN5618P-SB4N007P | FAIRCHILD SOT23-3 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDN5618P-B8 | FET -60V 1.7 MOHM SSOT3 | onsemi | ||
![]() |
FDN5330SX | FDN5330SX FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDN537/AGSA | AOS SOT-23 | AOS | ||
![]() |
FDN537N | MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 | onsemi | ||
![]() |
FDN5618P MOS | FAIRCHILD SOT23-3 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDN537N MOS | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDN537N-NL | FDN537N-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDN5618P-NL | FDN5618P-NL Son | Son | ||
![]() |
FDN537N IC | ON SOT-23 | ON | ||
![]() |
FDN5618P_G | MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 | onsemi | ||
![]() |
FDN5618P-NL IC | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDN5630 | MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 | onsemi | ||
![]() |
FDN372S-NL | FDN372S-NL FSC | FSC | ||
![]() |
FDN5630 | FAIRCHIL 09+ | FAIRCHIL | ||
![]() |
FDN5618P IC | FAIRCHILD SOT23-3 | FAIRCHILD | ||
![]() |
FDN537N_NL | QQ2850920 SOT23 | QQ2850920 | ||
![]() |
FDN5630 MOS | ON SOT-23-3 | ON | ||
![]() |
FDN537 | FDN537 AOS | AOS |
Новости
БольшеMicrochip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
БольшеФотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.