| FDP52N20 | |
|---|---|
| Тип продуктов | FDP52N20 |
| производитель | onsemi |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3 |
| Кол-во в наличии | 18790 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.FDP52N20.pdf2.FDP52N20.pdf3.FDP52N20.pdf4.FDP52N20.pdf5.FDP52N20.pdf6.FDP52N20.pdf7.FDP52N20.pdf8.FDP52N20.pdf9.FDP52N20.pdf |
| FDP52N20 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация FDP52N20 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | FDP52N20 | категория | |
| производитель | onsemi | Описание | MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3 |
| Пакет / чехол | TO-220-3 | Кол-во в наличии | 18790 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
| Серии | UniFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 26A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 357W (Tc) | Упаковка / | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 52A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FDP52 | ||
| Скачать | FDP52N20 PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
FDP52N20
Введение
MOSFET с высоким уровнем производительности N-канала
Бренд и производитель
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Характеристики
MOSFET N-канала
Температурный диапазон эксплуатации от -55°C до 150°C
Тип монтажа: сквозной монтаж
Доступен в корпусе TO-220-3
Производительность продукта
Мощность рассеяния 357W при Tc
Непрерывный ток стока 52A при 25°C
Низкое сопротивление «включено» 49 мОм при 26A и 10V
Технические характеристики
Напряжение сток-исток 200V
Напряжение затвор-исток ±30V
Максимальное напряжение порога затвора 5V при 250µA
Заряд затвора 63nC при 10V
Входная ёмкость 2900pF при 25V
Габариты, форма и упаковка
Корпус TO-220-3
Поставляется в упаковке трубчатого типа
Качество и надежность
Уровень чувствительности к влаге 1 (без ограничений)
Без свинца и соответствует стандарту RoHS
Преимущества продукта
Высокая способность к передаче тока
Низкое сопротивление «включено»
Оптимизирован для низкого заряда затвора
Конкурентоспособность продукта
Предлагается уважаемым производителем с опытом в области силовой полупроводниковой техники
Совместимость
Подходит для сквозного монтажа на различных схемах печатных плат
Стандарты сертификации и соответствие
Статус без свинца и соответствует требованиям RoHS
Срок службы и устойчивость
Надежный дизайн с диапазоном рабочей температуры, подходящим для сложных применений
Области реального применения
Приложения управления энергией
Коммутирующие регуляторы
Управление двигателями
Инверторы
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ FDP52N20 Online.
| FDP52N20 сток | FDP52N20 Цена | FDP52N20 Электроника | |||
| FDP52N20 Компоненты | FDP52N20 Инвентарь | FDP52N20 Digikey | |||
| Поставщик FDP52N20 | Заказать FDP52N20 онлайн | Запрос FDP52N20 | |||
| FDP52N20 Image | FDP52N20 фото | FDP52N20 PDF | |||
| FDP52N20 Datasheet | Скачать таблицу FDP52N20 | Производитель | |||
| Связанные части для FDP52N20 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
FDP55N06 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDP5500-F085 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FDP5500-F085 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | onsemi | ||
|
FDP42AN15A0 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDP5500 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | onsemi | ||
|
FDP51N25 | MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3 | onsemi | ||
|
FDP42AN15A0 | MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3 | onsemi | ||
|
FDP42AN15AO | FDP42AN15AO FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP5645 | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | onsemi | ||
|
FDP46N30 | 46A, 300V, 0.079OHM, N-CHANNEL M | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDP50N06 | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP55N06 | MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3 | onsemi | ||
|
FDP5645 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
 |
FDP4D5N10C | MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3 | onsemi | ||
 |
FDP42NA15 | FDP42NA15 FSC | FSC | ||
|
FDP5500_F085 | FDP5500_F085 N/A | N/A | ||
|
FDP5645 | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FDP42AN15A0 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP51N25 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP5500 | N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M | Fairchild Semiconductor | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.