| FQPF11N50CF | |
|---|---|
| Тип продуктов | FQPF11N50CF |
| производитель | onsemi |
| Описание | MOSFET N-CH 500V 11A TO220F |
| Кол-во в наличии | 2888 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.FQPF11N50CF.pdf2.FQPF11N50CF.pdf3.FQPF11N50CF.pdf4.FQPF11N50CF.pdf5.FQPF11N50CF.pdf6.FQPF11N50CF.pdf |
| FQPF11N50CF Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация FQPF11N50CF | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | FQPF11N50CF | категория | |
| производитель | onsemi | Описание | MOSFET N-CH 500V 11A TO220F |
| Пакет / чехол | TO-220F-3 | Кол-во в наличии | 2888 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-220F-3 |
| Серии | FRFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 5.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 48W (Tc) | Упаковка / | TO-220-3 Full Pack |
| Упаковка | Tube | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2055 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |
| Базовый номер продукта | FQPF11 | ||
| Скачать | FQPF11N50CF PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
FQPF11N50CF
Введение
N-канальный MOSFET для приложений с высоким напряжением управления
Бренд и производитель
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Характеристики
Технология полевых транзисторов на основе металлооксидов
N-канальный тип для эффективного переключения
Высокое напряжение истока-стока (500 В)
Сохраняет постоянный ток стока до 11A при 25°C
Надежные тепловые характеристики с рассеиванием мощности 48W
Низкое значение Rds(on) для эффективной проводимости
Встроенный диод Зенера для защиты затвора
Производительность продукта
Расширенный диапазон рабочих температур от -55°C до 150°C
Высокая входная емкость 2055pF при 25V
Заряд затвора 55nC для быстрого переключения
Максимальное напряжение порога затвора 4V при 250μA
Способен выдерживать напряжение затвор-исток ±30V
Технические характеристики
Напряжение истока-стока 500V (Vdss)
Постоянный ток стока 11A (Id) при 25°C
550 мОм Rds(on) при 5.5A, 10V
Габариты, форма и упаковка
Монтаж через отверстия
Корпус TO-220-3 полной упаковки
Поставляется в упаковке в трубках
Качество и надежность
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без ограничений)
Без свинца и соответствует требованиям RoHS для безопасности окружающей среды
Преимущества продукта
Надежный дизайн для долговечной работы
Высокие возможности по напряжению и току для требовательных приложений
Конкурентоспособность продукта
Разработан для конкурентоспособной производительности в задачах регулирования мощности
Совместимость
Подходит для широкого спектра приложений с высоким напряжением
Совместим с техниками монтажа через отверстия
Стандарты сертификации и соответствие
Соответствует международным стандартам RoHS и безсвинцовым требованиям
Срок службы и устойчивость
Высокое качество и надежная конструкция для продолжительного срока службы продукта
Области реального применения
Блоки питания
DC-DC преобразователи
Приводы моторов
Инверторы
Переключающие регуляторы
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ FQPF11N50CF Online.
| FQPF11N50CF сток | FQPF11N50CF Цена | FQPF11N50CF Электроника | |||
| FQPF11N50CF Компоненты | FQPF11N50CF Инвентарь | FQPF11N50CF Digikey | |||
| Поставщик FQPF11N50CF | Заказать FQPF11N50CF онлайн | Запрос FQPF11N50CF | |||
| FQPF11N50CF Image | FQPF11N50CF фото | FQPF11N50CF PDF | |||
| FQPF11N50CF Datasheet | Скачать таблицу FQPF11N50CF | Производитель | |||
| Связанные части для FQPF11N50CF | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
FQPF11N50CF | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Fairchild Semiconductor | ||
 |
FQPF11N40CT | MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F | onsemi | ||
 |
FQPF11N40CYDTU | FQPF11N40CYDTU FSC | FSC | ||
|
FQPF12N50 | FQPF12N50 Original | Original | ||
|
FQPF12N20 | FQPF12N20 FSC | FSC | ||
|
FQPF11N60 MOS | VBSEMI TO-220F | VBSEMI | ||
|
FQPF11P06 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQPF11N40 | FQPF11N40 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQPF11P06 MOS | FAIRCHILD TO-220F | FAIRCHILD | ||
|
FQPF10NK50ZFP | FQPF10NK50ZFP FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQPF10N80C | FAIRCHILD TO-220F | FAIRCHILD | ||
|
FQPF11P06 | MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F | onsemi | ||
|
FQPF11N40C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Fairchild Semiconductor | ||
|
FQPF12N50C | FQPF12N50C Original | Original | ||
 |
FQPF11N40C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | onsemi | ||
|
FQPF11N60C | FQPF11N60C FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FQPF11N65C | FQPF11N65C VB | VB | ||
|
FQPF11N50C | FQPF11N50C FSC | FSC | ||
|
FQPF11N40T | MOSFET N-CH 400V 6.6A TO220F | onsemi | ||
|
FQPF11N60 | FQPF11N60 VB | VB | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.