| NVGS5120PT1G | |
|---|---|
| Тип продуктов | NVGS5120PT1G |
| производитель | onsemi |
| Описание | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP |
| Кол-во в наличии | 70000 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.NVGS5120PT1G.pdf2.NVGS5120PT1G.pdf3.NVGS5120PT1G.pdf4.NVGS5120PT1G.pdf |
| NVGS5120PT1G Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация NVGS5120PT1G | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | NVGS5120PT1G | категория | |
| производитель | onsemi | Описание | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP |
| Пакет / чехол | 6-TSOP | Кол-во в наличии | 70000 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | 6-TSOP |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 2.9A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 600mW (Ta) | Упаковка / | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 942 pF @ 30 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 18.1 nC @ 10 V | Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Базовый номер продукта | NVGS5120 | ||
| Скачать | NVGS5120PT1G PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
NVGS5120PT1G
Введение
Канальный MOSFET, обеспечивающий эффективное управление питанием
Бренд и производитель
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Характеристики
Технология MOSFET
Тип P-канала
Эффективное рассеивание мощности
Подходит для высокоскоростного переключения
Прибор для поверхностного монтажа
Соответствует стандартам RoHS
Производительность продукта
Работает при температурах от -55°C до 150°C
Непрерывно поддерживает ток стока 1.8A при температуре окружающей среды 25°C
Обеспечивает низкое Rds(on) 111 мОм при 2.9A и 10V
Технические характеристики
Напряжение от стока до источника (Vdss) 60V
Напряжение порога затвора-источника (Vgs(th)) до 3V
Заряд на затворе (Qg) 18.1nC при 10V
Входная емкость (Ciss) 942pF при 30V
Напряжение управления 4.5V (минимальное Rds On), 10V (максимальное Rds On)
Габариты, форма и упаковка
Корпус SOT-23-6
Упаковка 6-TSOP
Упаковка с нарезкой (CT)
Качество и надежность
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1
Преимущества продукта
Высокая эффективность и низкое сопротивление включения для экономии энергии
Компактный форм-фактор для приложений с ограниченным пространством
Конкурентоспособность продукта
Расширенный диапазон температур для различных условий окружающей среды
Высокое напряжение на стоке и поддержка непрерывного тока
Совместимость
Совместимость с технологией поверхностного монтажа
Стандарты сертификации и соответствие
Не содержит свинца
Соответствует стандартам RoHS
Срок службы и устойчивость
Устойчивый с расширенным диапазоном рабочих температур
Области реального применения
Управление питанием для широкого спектра электронных приложений
Подходит для потребительской электроники, автомобильной и промышленной сферы
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ NVGS5120PT1G Online.
| NVGS5120PT1G сток | NVGS5120PT1G Цена | NVGS5120PT1G Электроника | |||
| NVGS5120PT1G Компоненты | NVGS5120PT1G Инвентарь | NVGS5120PT1G Digikey | |||
| Поставщик NVGS5120PT1G | Заказать NVGS5120PT1G онлайн | Запрос NVGS5120PT1G | |||
| NVGS5120PT1G Image | NVGS5120PT1G фото | NVGS5120PT1G PDF | |||
| NVGS5120PT1G Datasheet | Скачать таблицу NVGS5120PT1G | Производитель | |||
| Связанные части для NVGS5120PT1G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
NVGS4111PT1G | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP | onsemi | ||
 |
ISE0315A-H | DC DC CONVERTER 15V 1W | N/A | ||
 |
RT1206CRD07665KL | RES SMD 665K OHM 0.25% 1/4W 1206 | YAGEO | ||
 |
NVGS3443T1G MOS | ON SOT23-6 | ON | ||
|
NVG800A75L4DSB2 | MODULE | onsemi | ||
|
NVGS4141NT1G | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP | onsemi | ||
 |
NVG800A75L4DSC-Z008 | DUAL SIDE COOLING POWER MODULE | onsemi | ||
|
NVGS3136PT1G MOS | ON SOT23-6 | ON | ||
|
NVGS3130NT1G | MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP | onsemi | ||
|
NVGS3130N | NVGS3130N ON | ON | ||
 |
OSTOQ041551 | TERM BLOCK HDR 4POS 90DEG 3.5MM | On Shore Technology Inc. | ||
|
NVGS3136PT1G | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | onsemi | ||
|
NVGS5120PT1G MOS | ON SOT-163 | ON | ||
|
NVGS3443T1G | SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET -2 | onsemi | ||
|
NVGS3441T1G MOS | ON SOT23-6 | ON | ||
 |
ABS06L-32.768KHZ-9-T | CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD | Abracon LLC | ||
|
NVGS3441T1G | MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP | onsemi | ||
|
NVG800A75L4DSC | IC PWR MOD 750V 800A AHPM15 | onsemi | ||
|
NVG800A75L4DSC2 | IC PWR MOD 750V 800A AHPM15 | onsemi | ||
|
NVGS4111PT1G MOS | ON SOT163 | ON | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.