| SVD2955T4G | |
|---|---|
| Тип продуктов | SVD2955T4G |
| производитель | onsemi |
| Описание | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| Кол-во в наличии | 14500 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.SVD2955T4G.pdf2.SVD2955T4G.pdf3.SVD2955T4G.pdf4.SVD2955T4G.pdf5.SVD2955T4G.pdf |
| SVD2955T4G Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация SVD2955T4G | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | SVD2955T4G | категория | |
| производитель | onsemi | Описание | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| Пакет / чехол | DPAK | Кол-во в наличии | 14500 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | DPAK |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 55W (Tj) | Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Ta) |
| Базовый номер продукта | SVD2955 | ||
| Скачать | SVD2955T4G PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
SVD2955T4G
Введение
P-канальный МОП-транзистор, предназначенный для применения в силовых ключах.
Бренд и производитель
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Характеристики
Тип P-канального FET, МОП-технология, без свинца и соответствует требованиям RoHS.
Производительность продукта
Высокая мощность рассеяния 55 Вт, рабочий диапазон температур от -55°C до 175°C, напряжение сток-исток 60 В, постоянный ток стока 12 А при 25°C.
Технические характеристики
Максимальное RDS(on) 180 мОм при 6А, 10В, напряжение порога затвора до 4 В при 250 мкА, максимальный заряд затвора 30 нК при 10В, входная ёмкость 750 пФ при 25 В, напряжение управления для максимального/минимального RDS(on) 10 В, максимальное Vgs ±20 В.
Габариты, форма и упаковка
Поверхностный монтаж DPAK (TO-252-3, DPak, SC-63). Упаковка: Лента и катушка (Tape & Reel).
Качество и надежность
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1, что указывает на высокую надежность и неограниченный срок хранения при стандартных условиях.
Преимущества продукта
Эффективные возможности обработки мощности, оптимизирован для низких источников драйва затвора.
Конкурентоспособность продукта
Конкурентоспособный в приложениях, требующих высокой тепловой и электрической производительности.
Совместимость
Совместим с стандартными процессами поверхностного монтажа.
Стандарты сертификации и соответствие
Без свинца и соответствует требованиям RoHS для экологических стандартов.
Срок службы и устойчивость
Разработан для долговечной и продолжительной работы в суровых условиях.
Области реального применения
Ключи источников питания, приложения управления энергией, переключение нагрузок.
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ SVD2955T4G Online.
| SVD2955T4G сток | SVD2955T4G Цена | SVD2955T4G Электроника | |||
| SVD2955T4G Компоненты | SVD2955T4G Инвентарь | SVD2955T4G Digikey | |||
| Поставщик SVD2955T4G | Заказать SVD2955T4G онлайн | Запрос SVD2955T4G | |||
| SVD2955T4G Image | SVD2955T4G фото | SVD2955T4G PDF | |||
| SVD2955T4G Datasheet | Скачать таблицу SVD2955T4G | Производитель | |||
| Связанные части для SVD2955T4G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
SVD2N60D IC | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD3205T | VB TO-220AB | VB | ||
|
SVD12N60F MOS | VBSEMI TO-220F | VBSEMI | ||
|
SVD2N60DTR IC | SL TO252 | SL | ||
|
SVD1N60M MOS | SILAN TO-251 | SILAN | ||
|
SVD1N60M | SVD1N60M SILAN | SILAN | ||
|
SVD1N60D IC | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD12N60F | VBsemi TO220F | VBsemi | ||
|
SVD1N60DFBTR | TO252 11+PBF | |||
|
SVD1404T | SVD1404T Silan | Silan | ||
|
SVD2N60D | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD12N65F | SL TO220 | SL | ||
|
SVD2N60M | SILAN TO-251 | SILAN | ||
|
SVD2N60 | TO251 11+ | |||
|
SVD2N60DTR | TO-252 16+ | |||
|
SVD1N60D | SILAN TO-252 | SILAN | ||
|
SVD2N60F | SILAN TO-220 | SILAN | ||
 |
SVD14N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK | onsemi | ||
 |
SVD2N60MJ | FUJITSU TO-251 | FUJITSU | ||
|
SVD301-TF | SANYO SMD | SANYO | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.