STB11NM80T4 | |
---|---|
Тип продуктов | STB11NM80T4 |
производитель | STMicroelectronics |
Описание | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK |
Кол-во в наличии | 8010 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | 1.STB11NM80T4.pdf2.STB11NM80T4.pdf3.STB11NM80T4.pdf4.STB11NM80T4.pdf5.STB11NM80T4.pdf |
STB11NM80T4 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация STB11NM80T4 | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | STB11NM80T4 | категория | |
производитель | STMicroelectronics | Описание | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK |
Пакет / чехол | D2PAK | Кол-во в наличии | 8010 pcs |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | D2PAK |
Серии | MDmesh™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 150W (Tc) | Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 800 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |
Базовый номер продукта | STB11 | ||
Скачать | STB11NM80T4 PDF - EN.pdf |
STB11NM80T4
Высоковольтный N-канальный MOSFET, предназначенный для высокоэффективных переключающих приложений
STMicroelectronics
Технология N-канального MOSFET, высокая напряженческая способность (800В), оптимизирован для высокой скорости переключения, энергоэффективен благодаря низкому сопротивлению при включении, подходит для приложений с высокой мощностью
Постоянный ток стока 11A при 25°C, низкое Rds(on) 400 мОм при 5.5A, 10V, высокая тепловая мощность 150W
Металлооксидный полупроводниковый FET, корпуса для установки на поверхность D2PAK, напряжение стока к истоку (Vdss) 800В, пороговое напряжение затвора к истоку (Vgs(th)) 5В при 250μA, заряд затвора (Qg) 43.6nC при 10V, входная ёмкость (Ciss) 1630pF при 25V
TO-263-3, DPAK (2 выводa + таб), корпус TO-263AB, упакован в ленту и катушку (TR) для автоматизированной сборки
Без свинца / соблюдение требований RoHS, уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без ограничений)
Высоковольтная способность для промышленных приложений, отличная тепловая производительность, удобство установки с упаковкой для поверхностного монтажа
Надежный дизайн, подходящий для широкого круга высоковольтных приложений, конкурентоспособные цены для сектора управления мощностью
Совместимость со стандартной технологией поверхностного монтажа (SMT), может использоваться в различных схемах, требующих N-канальный MOSFET
Соответствие стандартам RoHS по охране окружающей среды, безсвинцовый компонент
Спроектирован для длительного срока службы в заданных условиях
Блоки питания с переключением (SMPS), управление мощностью в телекоммуникациях, промышленные системы, электронные балласты для освещения, преобразователи и инверторы для солнечных энергетических систем, автомобильные приложения
STB11NM80T4 сток | STB11NM80T4 Цена | STB11NM80T4 Электроника | |||
STB11NM80T4 Компоненты | STB11NM80T4 Инвентарь | STB11NM80T4 Digikey | |||
Поставщик STB11NM80T4 | Заказать STB11NM80T4 онлайн | Запрос STB11NM80T4 | |||
STB11NM80T4 Image | STB11NM80T4 фото | STB11NM80T4 PDF | |||
STB11NM80T4 Datasheet | Скачать таблицу STB11NM80T4 | Производитель |
Связанные части для STB11NM80T4 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
![]() |
STB11NM80T4 MOSFETIGBTIC | ST TO-263 | ST | ||
![]() |
STB120N4LF6 MOS | ST TO-263 | ST | ||
![]() |
STB11NM65N | STB11NM65N ST | ST | ||
![]() |
STB12-2-2 | WIRE MARKER CLIP-ON RED | TE Connectivity Raychem Cable Protection | ||
![]() |
STB120NF-10T4 | STB120NF-10T4 ST | ST | ||
![]() |
STB11NM60T4 | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | STMicroelectronics | ||
![]() |
STB120N4F6 MOS | ST TO263 | ST | ||
![]() |
STB11NM80 MOS | ST TO-263 | ST | ||
![]() |
STB120NF10 | STB120NF10 ST | ST | ||
![]() |
STB120N10F4 | MOSFET N-CH 100V D2PAK | STMicroelectronics | ||
![]() |
STB12-7-7 | WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET | TE Connectivity Raychem Cable Protection | ||
![]() |
STB11NM60ND | STB11NM60ND ST | ST | ||
![]() |
STB11NM60FDT4 | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK | STMicroelectronics | ||
![]() |
STB11NM60N-1 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | STMicroelectronics | ||
![]() |
STB120N4LF6 | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | STMicroelectronics | ||
![]() |
STB11NM60N | STB11NM60N ST | ST | ||
![]() |
STB11NM60FD B11NM60FD | ST TO-263 | ST | ||
![]() |
STB120N4F6 | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | STMicroelectronics | ||
![]() |
STB11NM80 | STB11NM80 ST | ST | ||
![]() |
STB11NM60FDT4 MOS | ST TO263 | ST |
Новости
БольшеMicrochip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
БольшеФотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.