| DMN63D8LDW-7 | |
|---|---|
| Тип продуктов | DMN63D8LDW-7 |
| производитель | Diodes Incorporated |
| Описание | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 |
| Кол-во в наличии | 41000 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.DMN63D8LDW-7.pdf2.DMN63D8LDW-7.pdf3.DMN63D8LDW-7.pdf |
| DMN63D8LDW-7 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация DMN63D8LDW-7 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | DMN63D8LDW-7 | категория | |
| производитель | Diodes Incorporated | Описание | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 |
| Пакет / чехол | SOT-363 | Кол-во в наличии | 41000 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | SOT-363 | Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 250mA, 10V | Мощность - Макс | 300mW |
| Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 22pF @ 25V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.87nC @ 10V |
| FET Характеристика | Logic Level Gate | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 220mA | конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Базовый номер продукта | DMN63 | ||
| Скачать | DMN63D8LDW-7 PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
DMN63D8LDW-7
Введение
Двойной N-канальный MOSFET логического уровня
Бренд и производитель
Diodes Incorporated
Характеристики
Логический уровень затвора, технология поверхностного монтирования, компактный форм-фактор, низкое сопротивление при включении
Производительность продукта
Высокий постоянный ток стока, низкая заряді затвора, высокая входная емкость
Технические характеристики
Двойной N-канальный MOSFET, максимальная рассеиваемая мощность 300 мВт, напряжение стока к источнику 30 В, постоянный ток стока 220 мА
Габариты, форма и упаковка
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, упаковка в ленте и катушке
Качество и надежность
Работа в экстремальных температурах от -55°C до 150°C, надежная и стабильная работа
Преимущества продукта
Идеален для проектов с высокой плотностью схем, энергоэффективен
Конкурентоспособность продукта
Подходит для компактной электроники, конкурентные электрические характеристики
Совместимость
Дополняет цифровую логику, совместим с технологиями поверхностного монтажа
Стандарты сертификации и соответствие
Соответствует отраслевым стандартам для MOSFET
Срок службы и устойчивость
Долгий срок эксплуатации, выдерживает тепловые и электрические нагрузки
Области реального применения
Управление энергией, переключающие схемы, потребительская электроника, телекоммуникации
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ DMN63D8LDW-7 Online.
| DMN63D8LDW-7 сток | DMN63D8LDW-7 Цена | DMN63D8LDW-7 Электроника | |||
| DMN63D8LDW-7 Компоненты | DMN63D8LDW-7 Инвентарь | DMN63D8LDW-7 Digikey | |||
| Поставщик DMN63D8LDW-7 | Заказать DMN63D8LDW-7 онлайн | Запрос DMN63D8LDW-7 | |||
| DMN63D8LDW-7 Image | DMN63D8LDW-7 фото | DMN63D8LDW-7 PDF | |||
| DMN63D8LDW-7 Datasheet | Скачать таблицу DMN63D8LDW-7 | Производитель Diodes Incorporated | |||
| Связанные части для DMN63D8LDW-7 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
DMN63D8LV-7 MOS | DIODES SOT563 | DIODES | ||
 |
DMN63D8LW-13 | MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 | Diodes Incorporated | ||
|
DMN63D8L-13 | MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23-3 | Diodes Incorporated | ||
|
DMN63D8LV | DMN63D8LV DIODES | DIODES | ||
|
DMN63D8L-7 | MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 | Diodes Incorporated | ||
 |
DMN63D8LDW-13-52 | MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R | Diodes Incorporated | ||
 |
DMN63D8LW-13 IC | MSV SOT-323 | MSV | ||
|
DMN63D8LDW | DMN63D8LDW DIODES | DIODES | ||
|
DMN63D8LW | DMN63D8LW DIODES | DIODES | ||
 |
DMN63D8LV-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 | Diodes Incorporated | ||
|
DMN63D1LW-13 | MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323 | Diodes Incorporated | ||
 |
DMN63D1LV-13 | MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 | Diodes Incorporated | ||
|
DMN63D8LDW-13 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
|
DMN63D8LDW-7-52 | MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R | Diodes Incorporated | ||
|
DMN63D1LW | DMN63D1LW DIODES | DIODES | ||
|
DMN63D8LDW-7 MOS | DIODES SOT-363 | DIODES | ||
|
DMN63D1LV-7 | MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 | Diodes Incorporated | ||
|
DMN63D1LW-7 | MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323 | Diodes Incorporated | ||
|
DMN63D8LDWQ-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
|
DMN63D8LDW-7-F | DMN63D8LDW-7-F DIODES | DIODES | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.