| IPB036N12N3GATMA1 | |
|---|---|
| Тип продуктов | IPB036N12N3GATMA1 |
| производитель | Infineon Technologies |
| Описание | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 |
| Кол-во в наличии | 1600 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.IPB036N12N3GATMA1.pdf2.IPB036N12N3GATMA1.pdf3.IPB036N12N3GATMA1.pdf |
| IPB036N12N3GATMA1 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IPB036N12N3GATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IPB036N12N3GATMA1 | категория | |
| производитель | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Описание | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 |
| Пакет / чехол | PG-TO263-7 | Кол-во в наличии | 1600 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 270µA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-7 |
| Серии | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) | Упаковка / | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 13800 pF @ 60 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 211 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 120 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 180A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB036 | ||
| Скачать | IPB036N12N3GATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
IPB036N12N3GATMA1
Введение
N-канальный MOSFET с напряжением 120В и током 180А
Бренд и производитель
International Rectifier (Infineon Technologies)
Характеристики
N-канальный MOSFET, высокий непрерывный ток стока 180А, низкое сопротивление
Производительность продукта
Максимальная мощность рассеяния 300Вт, широкий диапазон
Технические характеристики
Напряжение стока относительно истока: 120В,
Габариты, форма и упаковка
Корпус: TO-263-7, DPak (6 выводов + штырь), TO-263CB,
Качество и надежность
Отсутствие свинца / Соответствует стандартам RoHS,
Преимущества продукта
Эффективное управление мощностью и термоуправление,
Конкурентоспособность продукта
Разработан для высокой эффективности и надежности в
Совместимость
Совместим со стандартными процессами поверхностного монтажа
Стандарты сертификации и соответствие
Свободен от свинца / Соответствует RoHS
Срок службы и устойчивость
Прочная конструкция, рассчитанная на долгосрочную надежность
Области реального применения
Применения в управлении мощностью, переключающие регуляторы,
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ IPB036N12N3GATMA1 Online.
| IPB036N12N3GATMA1 сток | IPB036N12N3GATMA1 Цена | IPB036N12N3GATMA1 Электроника | |||
| IPB036N12N3GATMA1 Компоненты | IPB036N12N3GATMA1 Инвентарь | IPB036N12N3GATMA1 Digikey | |||
| Поставщик IPB036N12N3GATMA1 | Заказать IPB036N12N3GATMA1 онлайн | Запрос IPB036N12N3GATMA1 | |||
| IPB036N12N3GATMA1 Image | IPB036N12N3GATMA1 фото | IPB036N12N3GATMA1 PDF | |||
| IPB036N12N3GATMA1 Datasheet | Скачать таблицу IPB036N12N3GATMA1 | Производитель Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Связанные части для IPB036N12N3GATMA1 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IPB035N08N3G MOS | INFINEON TO-263 | INFINEON | ||
|
IPB036N12N3G | IPB036N12N3G INFINEON | INFINEON | ||
 |
IPB038N12N3 G | IPB038N12N3 G Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
 |
IPB035N08N3GATMA1 IC | INF TO-263 | INF | ||
 |
IPB037N06N3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IPB035N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | Infineon Technologies | ||
|
IPB038N12N3G | IPB038N12N3G INFINEON | INFINEON | ||
|
IPB037N06N3G MOS | INFINEON TO-263 | INFINEON | ||
 |
IPB036N12N3 G | MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 | Infineon Technologies | ||
|
IPB037N06N3 | INFINEON | |||
|
IPB036N12N3 | INFINEON | |||
|
IPB036N12N3G MOS | INFINEON TO-263-7L | INFINEON | ||
|
IPB035N08N3 G | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPB036N12N3-G | INFINEON | |||
|
IPB038N12N3 | INFINEON | |||
|
IPB038N08N3G | IPB038N08N3G INF | INF | ||
|
IPB035N08N3G | IPB035N08N3G VB | VB | ||
|
IPB037N06N3G | IPB037N06N3G VB | VB | ||
|
IPB037N06N3 G | IPB037N06N3 G Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
|
IPB037N06N3GATMA1 IC | INF TO-263 | INF | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.