IPB107N20N3 G
Тип продуктов IPB107N20N3 G
производитель Infineon Technologies
Описание IPB107N20N3 G Infineon Technologies
Кол-во в наличии 32984 pcs new original in stock.
Запросить акции и предложения
Модель ECAD
Листки
IPB107N20N3 G Price Запросить цену и время выполнения заказа
or Email us: Info@ariat-tech.com
Техническая информация IPB107N20N3 G
Номер изготовителя IPB107N20N3 G категория Дискретных полупроводниковых изделий
производитель Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Описание IPB107N20N3 G Infineon Technologies
Пакет / чехол Tape & Reel (TR) Кол-во в наличии 32984 pcs
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 270µA Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide) Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-2
Серии OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7 mOhm @ 88A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc) упаковка Tape & Reel (TR)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7100pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 87nC @ 10V Тип FET N-Channel
FET Характеристика - Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200V Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 88A (Tc)
СкачатьIPB107N20N3 G PDF - EN.pdf

Модель продукта

IPB107N20N3 G

Введение

Высокопроизводительный N-канальный MOSFET

Бренд и производитель

International Rectifier (Infineon Technologies)

Характеристики

Высокая токовая емкость; Низкое сопротивление Rds On; Высокое пороговое напряжение; Оптимизирован для быстрого переключения

Производительность продукта

НепрерывныйDrain currents 88A при 25°C; Высокая мощность рассеяния до 300W

Технические характеристики

Технология MOSFET; 200V Drain to Source Voltage (Vdss); 10.7 мОм Rds On при 88A, 10V; Входная емкость 7100pF (Ciss) при 100V

Габариты, форма и упаковка

TO-263-3, DPak (2 вывода + шина), упаковка TO-263AB; PG-TO263-2 пакет устройства поставщика; Упаковка производителя Tape & Reel (TR)

Качество и надежность

Без свинца / Соответствует RoHS; Рабочий температурный диапазон от -55°C до 175°C

Преимущества продукта

Эффективное преобразование энергии; Сниженное тепловое сопротивление

Конкурентоспособность продукта

Оптимизирован для приложений с высокой скоростью переключения

Совместимость

Тип монтажа - поверхностный монтаж; Совместим со стандартными энергетическими окружениями

Стандарты сертификации и соответствие

Соответствует RoHS

Срок службы и устойчивость

Разработан для долгосрочной надежности

Области реального применения

Блоки питания; DC-DC преобразователи; Приводы моторов; Автомобильные приложения; Системы возобновляемой энергии

IPB107N20N3 G являются новыми и оригинальными в наличии, найдите запас компонентов электроники IPB107N20N3 G, таблицу, инвентарь и цену на сайте Ariat-Tech.com, закажите IPB107N20N3 G Infineon Technologies с гарантией и доверием от Ariat Technology Limitd. Доставка через DHL / FedEx / UPS. Оплата банковским переводом или PayPal в порядке.
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ IPB107N20N3 G Online.
*Part No. Manufacturer Target Price(USD) *Request Qty Action
Add Item

Enter Your Contact Information

Представлено
IPB107N20N3 G стокIPB107N20N3 G ЦенаIPB107N20N3 G Электроника
IPB107N20N3 G КомпонентыIPB107N20N3 G ИнвентарьIPB107N20N3 G Digikey
Поставщик IPB107N20N3 GЗаказать IPB107N20N3 G онлайн Запрос IPB107N20N3 G
IPB107N20N3 G ImageIPB107N20N3 G фотоIPB107N20N3 G PDF
IPB107N20N3 G DatasheetСкачать таблицу IPB107N20N3 GПроизводитель Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Связанные части для IPB107N20N3 G
Образ Тип продуктов Описание производитель PDF Получить цитату
IPB100N12S305ATMA1 MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 Infineon Technologies  
Получить цитату
IPB107N20N3 INFINEON  
Получить цитату
IPB100P03P3L-04 P-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies  
Получить цитату
IPB107N20N3 G IC INFINEON TO-263 INFINEON  
Получить цитату
IPB107N20N3G IC INFINEON TO-263 INFINEON  
Получить цитату
IPB107N20NAATMA1 MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Infineon Technologies  
Получить цитату
IPB107N20N3G IPB107N20N3G INFINEON INFINEON  
Получить цитату
IPB107N20NA MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 Infineon Technologies  
Получить цитату
IPB107N20N3G MOS INFINEON TO263 INFINEON  
Получить цитату
IPB100N10S305ATMA1 MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 Infineon Technologies
Получить цитату
IPB107N20N3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Infineon Technologies  
Получить цитату
IPB100N12S3-05 INFINEON PG-TO263-3 INFINEON  
Получить цитату
IPB100N10S305 INFINEON  
Получить цитату
IPB100N08S2L07ATMA1 MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 Infineon Technologies  
Получить цитату
IPB108N15N3 INFINEON  
Получить цитату
IPB100N10S3-05 IPB100N10S3-05 Infineon Technologies Infineon Technologies
Получить цитату
IPB107N20NAATMA1 IC INF TO-263 INF  
Получить цитату
IPB108N15N3 G IPB108N15N3 G Infineon Technologies Infineon Technologies  
Получить цитату
IPB100N10S3-5(3PN1005) IPB100N10S3-5(3PN1005) INFINEON INFINEON  
Получить цитату
IPB100N10S3-5 INFINEON TO-263 INFINEON  
Получить цитату

Новости

Больше
Microchip's Polarfire SOC FPGA достигает ав...

Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...

Infineon выпускает многопользовате...

PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...

Запасы в области развития в США ...

Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...

Infineon и Eatron расширяют сотрудниче...

Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...

На полупроводнике запускает дат...

На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...

новые продукты

Больше
Фотоэлектрический датчик серии ...

Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...

Комплект оценки XC112 / XR112 для импу...

Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...

Сервоприводы и двигатели серии M...

Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...

Ультрафиолетовый светодиодный ...

Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...

Промышленный и расширенный тест...

Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...

Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.