IPB107N20N3 G | |
---|---|
Тип продуктов | IPB107N20N3 G |
производитель | Infineon Technologies |
Описание | IPB107N20N3 G Infineon Technologies |
Кол-во в наличии | 32984 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | |
IPB107N20N3 G Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация IPB107N20N3 G | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | IPB107N20N3 G | категория | Дискретных полупроводниковых изделий |
производитель | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Описание | IPB107N20N3 G Infineon Technologies |
Пакет / чехол | Tape & Reel (TR) | Кол-во в наличии | 32984 pcs |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 270µA | Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-2 |
Серии | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.7 mOhm @ 88A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) | упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7100pF @ 100V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 87nC @ 10V | Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 88A (Tc) |
Скачать | IPB107N20N3 G PDF - EN.pdf |
IPB107N20N3 G
Высокопроизводительный N-канальный MOSFET
International Rectifier (Infineon Technologies)
Высокая токовая емкость; Низкое сопротивление Rds On; Высокое пороговое напряжение; Оптимизирован для быстрого переключения
НепрерывныйDrain currents 88A при 25°C; Высокая мощность рассеяния до 300W
Технология MOSFET; 200V Drain to Source Voltage (Vdss); 10.7 мОм Rds On при 88A, 10V; Входная емкость 7100pF (Ciss) при 100V
TO-263-3, DPak (2 вывода + шина), упаковка TO-263AB; PG-TO263-2 пакет устройства поставщика; Упаковка производителя Tape & Reel (TR)
Без свинца / Соответствует RoHS; Рабочий температурный диапазон от -55°C до 175°C
Эффективное преобразование энергии; Сниженное тепловое сопротивление
Оптимизирован для приложений с высокой скоростью переключения
Тип монтажа - поверхностный монтаж; Совместим со стандартными энергетическими окружениями
Соответствует RoHS
Разработан для долгосрочной надежности
Блоки питания; DC-DC преобразователи; Приводы моторов; Автомобильные приложения; Системы возобновляемой энергии
IPB107N20N3 G сток | IPB107N20N3 G Цена | IPB107N20N3 G Электроника |
IPB107N20N3 G Компоненты | IPB107N20N3 G Инвентарь | IPB107N20N3 G Digikey |
Поставщик IPB107N20N3 G | Заказать IPB107N20N3 G онлайн | Запрос IPB107N20N3 G |
IPB107N20N3 G Image | IPB107N20N3 G фото | IPB107N20N3 G PDF |
IPB107N20N3 G Datasheet | Скачать таблицу IPB107N20N3 G | Производитель Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |