IPG20N10S4L35ATMA1 | |
---|---|
Тип продуктов | IPG20N10S4L35ATMA1 |
производитель | Infineon Technologies |
Описание | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
Кол-во в наличии | 4000 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | 1.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf2.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf3.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf4.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf |
IPG20N10S4L35ATMA1 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация IPG20N10S4L35ATMA1 | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | IPG20N10S4L35ATMA1 | категория | |
производитель | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Описание | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
Пакет / чехол | PG-TDSON-8-4 | Кол-во в наличии | 4000 pcs |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA | Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-4 | Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V | Мощность - Макс | 43W |
Упаковка / | 8-PowerVDFN | Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1105pF @ 25V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
FET Характеристика | Logic Level Gate | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20A | конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | IPG20N | ||
Скачать | IPG20N10S4L35ATMA1 PDF - EN.pdf |
IPG20N10S4L35ATMA1
Высокопроизводительный N-канальный MOSFET
International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET с логическим уровнем управления, двойная N-канальная конфигурация, высокая энергоэффективность и плотность, сертифицирован AEC-Q101 для автомобильных приложений, оптимизирован для быстрого переключения
Отличная термическая производительность, надежный диоксид затвора для высокой надежности, максимальный непрерывный ток стока 20A
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V, Rds On 35 мОм при 17A, 10V, заряд затвора (Qg) 17.4 нКл при 10V, входная ёмкость (Ciss) 1105 пФ при 25V
Корпус 8-PowerVDFN (PG-TDSON-8-4), технология поверхностного монтажа, упаковка Tape & Reel (TR) для автоматической сборки
Не содержит свинца и соответствует стандартам RoHS для экологической устойчивости, сертифицировано по стандарту автомобильной электроники AEC-Q101, разработан для долгосрочной надежности в жестких условиях
Высокая плотность мощности, обеспечивающая компактные конструкции, повышенная эффективность, сокращающая потери энергии, подходит для источников управления с логическим уровнем
Конкурентоспособные Rds On и ток стока в своем классе, хорошо подходит для автомобильных и промышленных приложений, сильная глобальная поддержка от Infineon Technologies
Совместим с широким диапазоном напряжений управления затвором, подходит для различных приложений с высоким и низким ключевым переключением
Соответствует AEC-Q101 для требований надежности в автомобильной сфере, полностью соответствует стандартам RoHS для экологических требований
Разработан для работы в экстремальных температурах от -55°C до 175°C, создан для длительной работы и срока службы в сложных условиях
Автомобильные системы, управление промышленной энергией, источники питания и преобразователи, схемы управления двигателями
IPG20N10S4L35ATMA1 сток | IPG20N10S4L35ATMA1 Цена | IPG20N10S4L35ATMA1 Электроника |
IPG20N10S4L35ATMA1 Компоненты | IPG20N10S4L35ATMA1 Инвентарь | IPG20N10S4L35ATMA1 Digikey |
Поставщик IPG20N10S4L35ATMA1 | Заказать IPG20N10S4L35ATMA1 онлайн | Запрос IPG20N10S4L35ATMA1 |
IPG20N10S4L35ATMA1 Image | IPG20N10S4L35ATMA1 фото | IPG20N10S4L35ATMA1 PDF |
IPG20N10S4L35ATMA1 Datasheet | Скачать таблицу IPG20N10S4L35ATMA1 | Производитель Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |