| IRLR3636PBF | |
|---|---|
| Тип продуктов | IRLR3636PBF |
| производитель | International Rectifier |
| Описание | IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO |
| Кол-во в наличии | 20702 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | |
| IRLR3636PBF Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IRLR3636PBF | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IRLR3636PBF | категория | |
| производитель | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Описание | IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO |
| Пакет / чехол | D-PAK | Кол-во в наличии | 20702 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA | Vgs (макс.) | ±16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | D-Pak |
| Серии | HEXFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 143W (Tc) | Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Bulk | Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3779 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 49 nC @ 4.5 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
| Скачать | IRLR3636PBF PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
IRLR3636PBF
Введение
Мощный N-канальный HEXFET Power MOSFET
Бренд и производитель
Компания International Rectifier, входящая в Infineon Technologies
Характеристики
Технология MOSFET (металлооксидный полевой транзистор), N-канальный тип FET, Поверхностный монтаж
Производительность продукта
Максимальная мощность рассеяния 143Вт при Tc, непрерывный drain- ток 50А при 25°C Tc, низкое Rds On 6.8 мОм при 50А, 10В
Технические характеристики
Напряжение сток-исток (Vdss) 60В, максимальное Vgs(th) 2.5В при 100µA, максимальный заряд затвора (Qg) 49nC при 4.5В, максимальная емкость входа (Ciss) 3779pF при 50В, максимальное Rds On при управляющем напряжении 4.5В, минимальное Rds On 10В, максимальное Vgs ±16В
Габариты, форма и упаковка
TO-252-3, DPak (2 вывода + площадка), корпус SC-63, упаковка в тюбиках
Качество и надежность
Надежная и прочная технология HEXFET
Преимущества продукта
Высокая емкость непрерывного тока, эффективное рассеяние тепла для термического управления, низкий заряд затвора для быстрого переключения
Конкурентоспособность продукта
Сильные показатели производительности в своем классе, хорошая теплопроводность с корпусом DPak
Совместимость
Совместимость с технологиями поверхностного монтажа (SMT)
Стандарты сертификации и соответствие
Соответствие стандартным отраслевым сертификатам и RoHS
Срок службы и устойчивость
Разработан для долговечности и надежности в различных приложениях
Области реального применения
Подходит для приложений по управлению питанием, таких как DC/DC-преобразователи, двигатели и высокоэффективные энергосистемы
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ IRLR3636PBF Online.
| IRLR3636PBF сток | IRLR3636PBF Цена | IRLR3636PBF Электроника | |||
| IRLR3636PBF Компоненты | IRLR3636PBF Инвентарь | IRLR3636PBF Digikey | |||
| Поставщик IRLR3636PBF | Заказать IRLR3636PBF онлайн | Запрос IRLR3636PBF | |||
| IRLR3636PBF Image | IRLR3636PBF фото | IRLR3636PBF PDF | |||
| IRLR3636PBF Datasheet | Скачать таблицу IRLR3636PBF | Производитель Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Связанные части для IRLR3636PBF | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IRLR3705 | INFINEON | |||
 |
IRLR3410TRRPBF | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR3636TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR3636TRPBF | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | Infineon Technologies | ||
 |
IRLR3410TRPBF. | IRLR3410TRPBF. IR | IR | ||
|
IRLR3410TRPBF | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR3410TRPBF IC | IR TO-252 | IR | ||
|
IRLR3705TRPBF | INFINEON TO-252 | INFINEON | ||
|
IRLR3705ZPBF | HEXFET POWER MOSFET | International Rectifier | ||
|
IRLR3410TRRPBF MOS | IR TO-252-3 | IR | ||
|
IRLR3410TRLPBF MOS | IR TO252 | IR | ||
|
IRLR3705ZTRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR3410TRR | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | Infineon Technologies | ||
|
IRLR3636 | IRLR3636 IR | IR | ||
|
IRLR3705Z LR3705Z | IR TO-252 | IR | ||
|
IRLR3410TRPBF MOS | VBSEMI TO-252 | VBSEMI | ||
|
IRLR3705Z IC | IR TO-252 | IR | ||
|
IRLR3705ZPBF MOS | IR TO252 | IR | ||
|
IRLR3410TRLPBF. | IR TO-252 | IR | ||
|
IRLR3705Z | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | Infineon Technologies | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.