IS49RL18320-107EBL | |
---|---|
Тип продуктов | IS49RL18320-107EBL |
производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Описание | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
Кол-во в наличии | 2965 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | 1.IS49RL18320-107EBL.pdf2.IS49RL18320-107EBL.pdf |
IS49RL18320-107EBL Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация IS49RL18320-107EBL | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | IS49RL18320-107EBL | категория | Интегральные схемы (ICs) |
производитель | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | Описание | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
Пакет / чехол | 168-FBGA (13.5x13.5) | Кол-во в наличии | 2965 pcs |
Время цикла записи - слово, страница | - | Напряжение тока - поставка | 1.28V ~ 1.42V |
Технологии | DRAM | Поставщик Упаковка устройства | 168-FBGA (13.5x13.5) |
Серии | - | Упаковка / | 168-LBGA |
Упаковка | Tray | Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
Тип установки | Surface Mount | Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 576Mbit | Организация памяти | 32M x 18 |
Интерфейс памяти | Parallel | Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 933 MHz | Базовый номер продукта | IS49RL18320 |
Время доступа | 8 ns | ||
Скачать | IS49RL18320-107EBL PDF - EN.pdf |
IS49RL18320-107EBL
Модуль памяти DRAM с высокой скоростью
Integrated Silicon Solution Inc.
Тип памяти: летучая. Использует технологию DRAM. Параллельный интерфейс памяти для быстрой передачи данных.
Размер памяти: 576 Мбит, организован как 32М x 18. Тактовая частота: 933 МГц. Время доступа: 8 нс. Поддерживает диапазон напряжений от 1,28В до 1,42В.
Формат памяти: DRAM. Упаковка типа Surface Mount 168-LBGA. Организация памяти: 32М x 18.
Упаковка 168-FBGA, размеры 13.5 x 13.5 мм. Технология поверхностного монтажа.
Работает в диапазоне температур от 0°C до 70°C.
Высокая пропускная способность и низкая задержка для ресурсовоемких приложений.
Разработан для высокоскоростных операций в условиях строгих требований.
Совместим с системами, требующими высокоскоростной DRAM с параллельным интерфейсом.
Соответствует отраслевым стандартам для электронных компонентов (конкретные сертификаты не указаны).
Разработан для длительной работы в заданных температурных диапазонах.
Используется в вычислительной технике, сетевой инфраструктуре и коммуникационном оборудовании, требующем высокоскоростной обработки данных.