| IXFH12N120P | |
|---|---|
| Тип продуктов | IXFH12N120P |
| производитель | IXYS |
| Описание | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
| Кол-во в наличии | 3080 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | IXFH12N120P.pdf |
| IXFH12N120P Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IXFH12N120P | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IXFH12N120P | категория | |
| производитель | IXYS / Littelfuse | Описание | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD |
| Пакет / чехол | TO-247AD (IXFH) | Кол-во в наличии | 3080 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA | Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-247AD (IXFH) |
| Серии | HiPerFET™, Polar | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 500mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 543W (Tc) | Упаковка / | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5400 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 103 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IXFH12 | ||
| Скачать | IXFH12N120P PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
IXFH12N120P
Введение
Высоковольтный MOSFET
Бренд и производитель
IXYS Corporation
Характеристики
MOSFET N-канала
Высокая мощность рассеяния
Высокое напряжение
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Производительность продукта
Эффективное управление энергией
Надежное термическое управление
Высокоскоростные переключающие способности
Расширенный диапазон рабочих температур
Технические характеристики
Технология полупроводникового оксида металла
Максимальное напряжение между стоком и источником (Vdss) 1200 В
Непрерывный ток стока (Id) 12 А при 25°C
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) 1.35 Ом при 500 мА, 10 В
Напряжение порога затвора (Vgs(th)) 6.5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) 103 нКл при 10 В
Входная ёмкость (Ciss) 5400 пФ при 25 В
Габариты, форма и упаковка
Тип установки - через отверстие
Корпус TO-247-3
Поставщик устройства - TO-247AD
Упаковка в трубках
Качество и надежность
Высокая надежность при экстремальных условиях
Преимущества продукта
Низкие потери на проводимость
Высокое пробивное напряжение
Конкурентоспособность продукта
Конкурентное решение для высоковольтной мощности
Совместимость
Совместимость с широким спектром высоковольтных приложений
Стандарты сертификации и соответствие
Безсвинцовый / Соответствует RoHS
Срок службы и устойчивость
Долговечен при высоких нагрузках и переменных температурах
Области реального применения
Электроснабжающие системы
Контроллеры двигателей
Инверторы
Импульсные источники питания
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ IXFH12N120P Online.
| IXFH12N120P сток | IXFH12N120P Цена | IXFH12N120P Электроника | |||
| IXFH12N120P Компоненты | IXFH12N120P Инвентарь | IXFH12N120P Digikey | |||
| Поставщик IXFH12N120P | Заказать IXFH12N120P онлайн | Запрос IXFH12N120P | |||
| IXFH12N120P Image | IXFH12N120P фото | IXFH12N120P PDF | |||
| IXFH12N120P Datasheet | Скачать таблицу IXFH12N120P | Производитель IXYS / Littelfuse | |||
| Связанные части для IXFH12N120P | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IXFH12N90P IC | IXYS TO-247 | IXYS | ||
 |
IXFH12N80P | MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 MOSFETIGBTIC | IXYS TO247-3 | IXYS | ||
 |
IXFH120N30X3 | MOSFET N-CH 300V 120A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N50F | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | IXYS RF | ||
|
IXFH120N25T | MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N100Q | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N50F | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD | IXYS RF | ||
|
IXFH120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH130N15X3 | MOSFET N-CH 150V 130A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N90 IC | IXYS TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH12N100P | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
|
IXFH12N50 | IXFH12N50 IXYS | IXYS | ||
|
IXFH12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
 |
IXFH120N25X3 | MOSFET N-CH 250V 120A TO247 | IXYS | ||
|
IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD | IXYS | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.