APT30D60SG | |
---|---|
Тип продуктов | APT30D60SG |
производитель | Microchip Technology |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 30A D3 |
Кол-во в наличии | Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | 1.APT30D60SG.pdf2.APT30D60SG.pdf3.APT30D60SG.pdf4.APT30D60SG.pdf |
APT30D60SG Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация APT30D60SG | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | APT30D60SG | категория | Дискретных полупроводниковых изделий |
производитель | Micrel / Microchip Technology | Описание | DIODE GEN PURP 600V 30A D3 |
Пакет / чехол | D3 [S] | Кол-во в наличии | Available Stock |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 30 A | Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard | Поставщик Упаковка устройства | D3 [S] |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 85 ns | Упаковка / | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Упаковка | Tube | Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount | Ток - Обратный утечки @ Vr | 250 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 30A | Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | APT30D60 |
APT30D60SG сток | APT30D60SG Цена | APT30D60SG Электроника | |||
APT30D60SG Компоненты | APT30D60SG Инвентарь | APT30D60SG Digikey | |||
Поставщик APT30D60SG | Заказать APT30D60SG онлайн | Запрос APT30D60SG | |||
APT30D60SG Image | APT30D60SG фото | APT30D60SG PDF | |||
APT30D60SG Datasheet | Скачать таблицу APT30D60SG | Производитель Micrel / Microchip Technology |
Связанные части для APT30D60SG | |||||
---|---|---|---|---|---|
Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
![]() |
APT30D60SG/TR | DIODE GEN PURP 600V 30A D3PAK | Microchip Technology | ||
![]() |
APT30DQ100BCT | IGBT Modules | APT | ||
![]() |
APT30D60BG | DIODE GP 600V 30A TO247 | Microchip Technology | ||
![]() |
APT30D60BCTG | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Microchip Technology | ||
![]() |
APT30DQ100BCTG | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | Microsemi Corporation | ||
![]() |
APT30DQ100BG | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | Microchip Technology | ||
![]() |
APT30D60BCA | IGBT Modules | APT | ||
![]() |
APT30DF60HJ | BRIDGE RECT 1P 600V 60A SOT227 | Microchip Technology | ||
![]() |
APT30DF120HJ | BRIDGE RECT 1P 1.2KV 45A SOT227 | Microsemi Corporation | ||
![]() |
APT30D60BG IC | MICROSEMI TO-247 | MICROSEMI | ||
![]() |
APT30D60S | Microsemi | |||
![]() |
APT30DF20HJ | BRIDGE RECT 1P 200V 45A SOT227 | Microchip Technology | ||
![]() |
APT30D60BCAG | DIODE ARRAY GP 600V 27A TO247 | Microchip Technology | ||
![]() |
APT30D60BHB | IGBT Modules | APT | ||
![]() |
APT30DL60BG | APT TO-247 | APT | ||
![]() |
APT30D60B | APT30D60B IGBT Module | IGBT Module | ||
![]() |
APT30D60BCT | APT30D60BCT APT | APT | ||
![]() |
APT30DF100HJ | BRIDGE RECT 1P 1KV 45A SOT227 | Microchip Technology | ||
![]() |
APT30DL60HJ | BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227 | Microsemi Corporation | ||
![]() |
APT30D60BHBG | DIODE ARRAY GP 600V 27A TO247 | Microchip Technology |
Новости
БольшеMicrochip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
БольшеФотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.