NAND512W3A2SZA6E | |
---|---|
Тип продуктов | NAND512W3A2SZA6E |
производитель | Micron Technology Inc. |
Описание | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA |
Кол-во в наличии | 1500 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | 1.NAND512W3A2SZA6E.pdf2.NAND512W3A2SZA6E.pdf3.NAND512W3A2SZA6E.pdf4.NAND512W3A2SZA6E.pdf |
NAND512W3A2SZA6E Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация NAND512W3A2SZA6E | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | NAND512W3A2SZA6E | категория | Интегральные схемы (ICs) |
производитель | Micron Technology | Описание | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA |
Пакет / чехол | 63-VFBGA (9x11) | Кол-во в наличии | 1500 pcs |
Время цикла записи - слово, страница | 50ns | Напряжение тока - поставка | 2.7V ~ 3.6V |
Технологии | FLASH - NAND | Поставщик Упаковка устройства | 63-VFBGA (9x11) |
Серии | - | Упаковка / | 63-TFBGA |
Упаковка | Tray | Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
Тип установки | Surface Mount | Тип памяти | Non-Volatile |
Размер памяти | 512Mbit | Организация памяти | 64M x 8 |
Интерфейс памяти | Parallel | Формат памяти | FLASH |
Базовый номер продукта | NAND512 | Время доступа | 50 ns |
Скачать | NAND512W3A2SZA6E PDF - EN.pdf |
NAND512W3A2SZA6E
Флеш-память, предназначенная для решений по хранению данных.
Micron Technology
Ненадежная NAND флеш-память. Высокая плотность хранения с емкостью 512 Мбит. Параллельный интерфейс памяти для традиционных соединений.
Организация памяти 64M x 8, обеспечивающая достаточное хранилище данных. Время записи и доступ к данным 50 нс, что гарантирует быструю обработку данных. Эффективно работает в широком диапазоне напряжений от 2.7 В до 3.6 В.
Тип памяти: FLASH - NAND. Размер памяти: 512 Мбит. Организация памяти: 64M x 8. Интерфейс памяти: Параллельный. Время записи - слово, страница: 50 нс. Время доступа: 50 нс. Напряжение - питание: 2.7 В ~ 3.6 В. Рабочая температура: -40°С ~ 85°С (TA).
Упаковка 63-TFBGA с размерами, подходящими для технологии поверхностного монтажа. Поставка устройства: 63-VFBGA (9x11).
Разработан для высокой надежности и долговечности в переменных условиях.
Предлагает значительную емкость для хранения данных. Надежная работа в экстремальных условиях окружающей среды.
Конкурентоспособен на рынках, требующих надежных ненадежных решений для памяти.
Совместим с системами, требующими параллельный интерфейс памяти.
Соответствует отраслевым стандартам по производительности и надежности.
Спроектирован для долговременной работы в тяжелых условиях.
Используется в различных отраслях: промышленности, автомобилестроении и потребительской электронике, где критически важна ненадежная память.
NAND512W3A2SZA6E сток | NAND512W3A2SZA6E Цена | NAND512W3A2SZA6E Электроника | |||
NAND512W3A2SZA6E Компоненты | NAND512W3A2SZA6E Инвентарь | NAND512W3A2SZA6E Digikey | |||
Поставщик NAND512W3A2SZA6E | Заказать NAND512W3A2SZA6E онлайн | Запрос NAND512W3A2SZA6E | |||
NAND512W3A2SZA6E Image | NAND512W3A2SZA6E фото | NAND512W3A2SZA6E PDF | |||
NAND512W3A2SZA6E Datasheet | Скачать таблицу NAND512W3A2SZA6E | Производитель Micron Technology |
Связанные части для NAND512W3A2SZA6E | |||||
---|---|---|---|---|---|
Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
![]() |
NAND88R3M0AZBB5 | ST | |||
![]() |
NAND512W3A2SZA6 | ST BGA63 | ST | ||
![]() |
NAND98R3M0BZBB5E | ST BGA | ST | ||
![]() |
NAND513W3A2BN6E | ST TSOP48 | ST | ||
![]() |
NAND512W3A2SE06 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL | Micron Technology Inc. | ||
![]() |
NAND512W3A2SZA6F | MICRON/ST BGA | MICRON/ST | ||
![]() |
NAND512W3A2SN6 | NAND512W3A2SN6 STM | STM | ||
![]() |
NAND512W3A2SZA6F TR | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA | Micron Technology Inc. | ||
![]() |
NAND98R3M0CZBB5E | ST | |||
![]() |
NAND512W3A2SZAXE | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA | Micron Technology Inc. | ||
![]() |
NAND98R3M0CZBB5 | ST | |||
![]() |
NAND512W4A0AN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | Micron Technology Inc. | ||
![]() |
NAND98R3M0DZBB5 | ST BGA | ST | ||
![]() |
NAND512W3A2SN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | Micron Technology Inc. | ||
![]() |
NAND512W3A2SN6F | MICRON TSOP-48 | MICRON | ||
![]() |
NAND512W3A2SN | NAND512W3A2SN MICRON | MICRON | ||
![]() |
NAND512W3A2SNXE | IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I | Micron Technology Inc. | ||
![]() |
NAND512W3A2SNX | NAND512W3A2SNX SPTECK | SPTECK | ||
![]() |
NAND512W3A2SN6F TR | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | Micron Technology Inc. | ||
![]() |
NAND512W3A2DZA6E IC | ST BGA | ST |
Новости
БольшеMicrochip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
БольшеФотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.