Модель продукта

K4W1G1646E-HC15

Введение

DDR3 SDRAM память ИС

Бренд и производитель

Samsung Semiconductor

Характеристики

Высокоскоростная передача данных

Низкое напряжение

Высокоскоростная синхронная DRAM

8 внутренних банков для параллельной работы

Производительность продукта

Скорость передачи данных до 1866 Mt/s

Задержка CAS 15 (CL15)

Двойная дифференциальная передача данных

Технические характеристики

Объем памяти: 1 Гб

Тип памяти: DDR3 SDRAM

Частота тактового сигнала: до 933 МГц

Напряжение ввода/вывода: 1.5В

Габариты, форма и упаковка

Упаковка Fine Ball Grid Array (FBGA)

Качество и надежность

Широкий диапазон температур

Соответствие стандартам JEDEC

Преимущества продукта

Энергоэффективность

Высокая пропускная способность данных

Стабильная и проверенная технология

Конкурентоспособность продукта

Известный бренд

Широко используется в промышленности

Хорошее соотношение цены и производительности

Совместимость

Совместимость со стандартными разъемами DDR3 SDRAM

Идеально подходит для приложений ПК и серверов

Стандарты сертификации и соответствие

Соответствие стандартам JEDEC

Соответствие требованиям RoHS

Срок службы и устойчивость

Увеличенный срок службы

Сделано из долговечных материалов

Области реального применения

Персональные компьютеры

Серверы

Системы высокопроизводительных вычислений

Сетевое оборудование

K4W1G1646E-HC15 являются новыми и оригинальными в наличии, найдите запас компонентов электроники K4W1G1646E-HC15, таблицу, инвентарь и цену на сайте Ariat-Tech.com, закажите K4W1G1646E-HC15 SAMSUNG с гарантией и доверием от Ariat Technology Limitd. Доставка через DHL / FedEx / UPS. Оплата банковским переводом или PayPal в порядке.
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ K4W1G1646E-HC15 Online.