| TP65H150G4LSG | |
|---|---|
| Тип продуктов | TP65H150G4LSG |
| производитель | Transphorm |
| Описание | GAN FET N-CH 650V PQFN |
| Кол-во в наличии | 2998 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | |
| TP65H150G4LSG Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация TP65H150G4LSG | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | TP65H150G4LSG | категория | Дискретных полупроводниковых изделий |
| производитель | Transphorm | Описание | GAN FET N-CH 650V PQFN |
| Пакет / чехол | 2-PQFN (8x8) | Кол-во в наличии | 2998 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.8V @ 500µA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) | Поставщик Упаковка устройства | 2-PQFN (8x8) |
| Серии | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 52W (Tc) | Упаковка / | 2-PowerTSFN |
| Упаковка | Cut Tape (CT) | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 598 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13A (Tc) |
| Базовый номер продукта | TP65H150 |
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ TP65H150G4LSG Online.
| TP65H150G4LSG сток | TP65H150G4LSG Цена | TP65H150G4LSG Электроника | |||
| TP65H150G4LSG Компоненты | TP65H150G4LSG Инвентарь | TP65H150G4LSG Digikey | |||
| Поставщик TP65H150G4LSG | Заказать TP65H150G4LSG онлайн | Запрос TP65H150G4LSG | |||
| TP65H150G4LSG Image | TP65H150G4LSG фото | TP65H150G4LSG PDF | |||
| TP65H150G4LSG Datasheet | Скачать таблицу TP65H150G4LSG | Производитель Transphorm | |||
| Связанные части для TP65H150G4LSG | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
TP65H070LDG-TR | 650 V 25 A GAN FET | Transphorm | ||
 |
TP6732Q | TOPRO QFP208 | TOPRO | ||
|
TP65H480G4JSG-TR | GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H150G4PS | GAN FET N-CH 650V TO-220 | Transphorm | ||
|
TP65H070LSG | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H050G4WS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP6740QTC | TOPRO QFP | TOPRO | ||
|
TP65H070LSG-TR | GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 | Transphorm | ||
|
TP65H300G4LSG-TR | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H070G4LSGB-TR | GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 | Transphorm | ||
|
TP6732QTC | TOPRO QFP | TOPRO | ||
|
TP65H300G4LSG | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H150LSG | GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H050WSQA | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H150BG4JSG-TR | GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 | Transphorm | ||
|
TP65H070LDG | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN | Transphorm | ||
 |
TP65H050WS | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP66P06SC | TP SOP-20 | TP | ||
|
TP65H070G4PS | GANFET N-CH 650V 29A TO220 | Transphorm | ||
|
TP65H150G4LSG-TR | 650 V 13 A GAN FET | Transphorm | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.