| VS-4ESH02-M3/86A | |
|---|---|
| Тип продуктов | VS-4ESH02-M3/86A |
| производитель | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A |
| Кол-во в наличии | 2688 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.VS-4ESH02-M3/86A.pdf2.VS-4ESH02-M3/86A.pdf |
| VS-4ESH02-M3/86A Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация VS-4ESH02-M3/86A | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | VS-4ESH02-M3/86A | категория | Разъемы соединений |
| производитель | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | Описание | DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A |
| Пакет / чехол | TO-277A (SMPC) | Кол-во в наличии | 2688 pcs |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 930 mV @ 4 A | Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
| Технологии | Standard | Поставщик Упаковка устройства | TO-277A (SMPC) |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Серии | FRED Pt® |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 20 ns | Упаковка / | TO-277, 3-PowerDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount | Ток - Обратный утечки @ Vr | 2 µA @ 200 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A | Емкостной @ В.Р., F | - |
| Базовый номер продукта | 4ESH02 | ||
| Скачать | VS-4ESH02-M3/86A PDF - EN.pdf | ||
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ VS-4ESH02-M3/86A Online.
| VS-4ESH02-M3/86A сток | VS-4ESH02-M3/86A Цена | VS-4ESH02-M3/86A Электроника |
| VS-4ESH02-M3/86A Компоненты | VS-4ESH02-M3/86A Инвентарь | VS-4ESH02-M3/86A Digikey |
| Поставщик VS-4ESH02-M3/86A | Заказать VS-4ESH02-M3/86A онлайн | Запрос VS-4ESH02-M3/86A |
| VS-4ESH02-M3/86A Image | VS-4ESH02-M3/86A фото | VS-4ESH02-M3/86A PDF |
| VS-4ESH02-M3/86A Datasheet | Скачать таблицу VS-4ESH02-M3/86A | Производитель Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
