| IRLD120PBF | |
|---|---|
| Тип продуктов | IRLD120PBF |
| производитель | Vishay Siliconix |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP |
| Кол-во в наличии | 9161 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.IRLD120PBF.pdf2.IRLD120PBF.pdf |
| IRLD120PBF Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация IRLD120PBF | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | IRLD120PBF | категория | |
| производитель | Vishay / Siliconix | Описание | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP |
| Пакет / чехол | 4-HVMDIP | Кол-во в наличии | 9161 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±10V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | 4-HVMDIP |
| Серии | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1.3W (Ta) | Упаковка / | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Упаковка | Tube | Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 5 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.3A (Ta) |
| Базовый номер продукта | IRLD120 | ||
| Скачать | IRLD120PBF PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
IRLD120PBF
Введение
N-канальный мощный MOSFET для монтажа с помощью проводников
Бренд и производитель
Vishay Siliconix
Характеристики
Высокая устойчивость к напряжению
Низкое сопротивление Rds (включено)
Упаковка для монтажа в отверстиях
Производительность продукта
Устойчив к экстренным температурам
Эффективное рассеивание мощности
Постоянная производительность тока истока
Технические характеристики
Технология MOSFET
Тип N-канальная
Напряжение от истока до стока 100В
Непрерывный ток стока 1.3А
Сопротивление Rds включено 270мОм
Габариты, форма и упаковка
Упаковка 4-DIP
Шаг выводов 0.300"
Упаковка в трубках
Качество и надежность
Без свинца и соответствует стандартам RoHS
Стабильность при высоких температурах
Преимущества продукта
Оптимизирован для приложений с высоким напряжением
Подходит для линейной работы
Конкурентоспособность продукта
Экономически эффективный компонент для управления питанием
Авторитетный бренд с надежной производительностью
Совместимость
Стандартизированное крепление с помощью проводников
Совместим с широким спектром схем и устройств
Стандарты сертификации и соответствие
Полностью соответствует стандартам RoHS
Срок службы и устойчивость
Спроектирован для работы в широком диапазоне рабочих температур
Устойчивый выбор благодаря конструкции без свинца
Области реального применения
Электрические цепи питания
Автоматизация и системы управления
Потребительская электроника
Компьютерные периферийные устройства
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ IRLD120PBF Online.
| IRLD120PBF сток | IRLD120PBF Цена | IRLD120PBF Электроника | |||
| IRLD120PBF Компоненты | IRLD120PBF Инвентарь | IRLD120PBF Digikey | |||
| Поставщик IRLD120PBF | Заказать IRLD120PBF онлайн | Запрос IRLD120PBF | |||
| IRLD120PBF Image | IRLD120PBF фото | IRLD120PBF PDF | |||
| IRLD120PBF Datasheet | Скачать таблицу IRLD120PBF | Производитель Vishay / Siliconix | |||
| Связанные части для IRLD120PBF | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
IRLD110PBF | MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP | Vishay Siliconix | ||
 |
IRLD120PBF | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
IRLD110PBF. | IRLD110PBF. IR | IR | ||
|
IRLD110PBF | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
IRLH5030TRPBF | MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN | Infineon Technologies | ||
|
IRLDL74-06S02 | IGBT Modules | IR | ||
|
IRLF024TRL | IRLF024TRL IR | IR | ||
 |
IRLG5AB 300X200X0.5 | RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874" | TDK Corporation | ||
|
IRLD110 | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
IRLG5 310X220X0.5 | RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661" | TDK Corporation | ||
|
IRLD024PBF | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP | Vishay Siliconix | ||
 |
IRLH5030TRPBF MOS | INFINEON PQFN8 | INFINEON | ||
|
IRLD120 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP | Vishay Siliconix | ||
|
IRLD110 | MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP | Vishay Siliconix | ||
|
IRLG5 310X220X0.25 | RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661" | TDK Corporation | ||
|
IRLD024PBF | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
IRLH5030TR2PBF | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN | Infineon Technologies | ||
|
IRLD024 | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP | Vishay Siliconix | ||
|
IRLD120 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
IRLG5AB 300X200X0.25 | RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874" | TDK Corporation | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.