SI7540DP-T1-E3 | |
---|---|
Тип продуктов | SI7540DP-T1-E3 |
производитель | Vishay Siliconix |
Описание | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
Кол-во в наличии | 2835 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | 1.SI7540DP-T1-E3.pdf2.SI7540DP-T1-E3.pdf |
SI7540DP-T1-E3 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация SI7540DP-T1-E3 | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | SI7540DP-T1-E3 | категория | |
производитель | Vishay / Siliconix | Описание | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
Пакет / чехол | PowerPAK® SO-8 Dual | Кол-во в наличии | 2835 pcs |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 Dual | Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V | Мощность - Макс | 1.4W |
Упаковка / | PowerPAK® SO-8 Dual | Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
FET Характеристика | Logic Level Gate | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 12V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 7.6A, 5.7A | конфигурация | N and P-Channel |
Базовый номер продукта | SI7540 | ||
Скачать | SI7540DP-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI7540DP-T1-E3
Массив MOSFET-ов N-канала и P-канала
Vishay / Siliconix
Логический уровень управления, улучшенная мощность, двойная конфигурация N-канала и P-канала, низкое сопротивление при включении
Высокие непрерывные токи стока 7,6A (N-канал), 5,7A (P-канал), рабочие температуры от -55°C до 150°C, низкий заряд затвора
Тип FET: N и P-канал, Напряжение сток-исток (Vdss): 12V, Rds On (макс): 17 мОм, Заряд затвора (Qg): 17nC, Vgs(th) (макс): 1.5V
Упаковка PowerPAK SO-8 для поверхностного монтажа, Tape & Reel (TR) для автоматической сборки
Изготовлено компанией Vishay, лидером в области полупроводниковых технологий
Высокая эффективность с уменьшенными потерями на проводимость, проще управлять за счет логического уровня порогового напряжения
Конкурентоспособные характеристики Rds(on) и заряда затвора, подходит для приложений по высокоплотному управлению питанием
Совместим с технологиями поверхностного монтажа, применим для схем управления логическим уровнем затвора
Соответствует промышленным стандартам для электронных компонентов
Устойчив к рабочим температурным диапазонам от -55°C до 150°C
Управление питанием, телекоммуникации, вычислительная техника, системы управления аккумуляторами, переключение нагрузки
SI7540DP-T1-E3 сток | SI7540DP-T1-E3 Цена | SI7540DP-T1-E3 Электроника |
SI7540DP-T1-E3 Компоненты | SI7540DP-T1-E3 Инвентарь | SI7540DP-T1-E3 Digikey |
Поставщик SI7540DP-T1-E3 | Заказать SI7540DP-T1-E3 онлайн | Запрос SI7540DP-T1-E3 |
SI7540DP-T1-E3 Image | SI7540DP-T1-E3 фото | SI7540DP-T1-E3 PDF |
SI7540DP-T1-E3 Datasheet | Скачать таблицу SI7540DP-T1-E3 | Производитель Vishay / Siliconix |