SIR470DP-T1-GE3
Тип продуктов SIR470DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Описание MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Кол-во в наличии 31246 pcs new original in stock.
Запросить акции и предложения
Модель ECAD
Листки 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf
SIR470DP-T1-GE3 Price Запросить цену и время выполнения заказа
or Email us: Info@ariat-tech.com
Техническая информация SIR470DP-T1-GE3
Номер изготовителя SIR470DP-T1-GE3 категория  
производитель Vishay / Siliconix Описание MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Пакет / чехол PowerPAK® SO-8 Кол-во в наличии 31246 pcs
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide) Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR) Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5660 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 155 nC @ 10 V Тип FET N-Channel
FET Характеристика - Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Базовый номер продукта SIR470  
СкачатьSIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf

Модель продукта

SIR470DP-T1-GE3

Введение

MOSFET мощный N-канала TrenchFET с высокой производительностью

Бренд и производитель

Vishay / Siliconix

Характеристики

Технология MOSFET (металлоокислительный полупроводник)

Тип N-канал

Упаковка Tape & Reel (TR) для автоматической сборки

Совместимость с технологиями поверхностного монтажа (SMT)

Соответствие требованиям RoHS для экологической безопасности

Без свинца для снижения токсичности

Производительность продукта

Напряжение стока-истока (Vdss) 40V

Непрерывный ток стока (Id) 60A при 25°C (Tc)

Низкое сопротивление в открытом состоянии Rds On 2.3 мОм при 20A, 10V

Заряд затвора (Qg) 155nC при 10V

Входная емкость (Ciss) 5660pF при 20V

Способность выдерживать высокие температуры до 150°C (TJ)

Технические характеристики

Потеря мощности 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Напряжение порога затвора (Vgs(th)) 2.5V при 250A

Напряжение управления 4.5V (Макс Rds On), 10V (Мин Rds On)

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs max) ±20V

Габариты, форма и упаковка

Корпус PowerPAK SO-8

Упаковка устройства поставщика PowerPAK SO-8

Упаковано в Tape & Reel (TR) для эффективных процессов сборки

Качество и надежность

Изготовлено известной компанией Vishay / Siliconix

Надежная конструкция для стабильной работы

Преимущества продукта

Высокая способность пропускать ток

Улучшенная энергоэффективность с низким Rds On

Подходит для приложений с высокой плотностью мощности

Конкурентоспособность продукта

Конкурентоспособный в области мощных дискретных полупроводников

Предлагает баланс между ценой и производительностью

Совместимость

Совместим с стандартными процессами SMT

Подходит для стандартных размеров и технологий сборки PowerPAK SO-8

Стандарты сертификации и соответствие

Соответствует стандарту RoHS для экологической и потребительской безопасности

Срок службы и устойчивость

Разработан для долгого срока службы при заданных условиях

Области реального применения

Управление мощностью для вычислительного и сетевого оборудования

DC/DC преобразователи

Двигатели

Системы с аккумуляторным питанием

Коммутирующие приложения, требующие эффективного контроля энергии

SIR470DP-T1-GE3 являются новыми и оригинальными в наличии, найдите запас компонентов электроники SIR470DP-T1-GE3, таблицу, инвентарь и цену на сайте Ariat-Tech.com, закажите SIR470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix с гарантией и доверием от Ariat Technology Limitd. Доставка через DHL / FedEx / UPS. Оплата банковским переводом или PayPal в порядке.
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ SIR470DP-T1-GE3 Online.
*Part No. Manufacturer Target Price(USD) *Request Qty Action
Add Item

Enter Your Contact Information

Представлено
SIR470DP-T1-GE3 стокSIR470DP-T1-GE3 ЦенаSIR470DP-T1-GE3 Электроника
SIR470DP-T1-GE3 КомпонентыSIR470DP-T1-GE3 ИнвентарьSIR470DP-T1-GE3 Digikey
Поставщик SIR470DP-T1-GE3Заказать SIR470DP-T1-GE3 онлайн Запрос SIR470DP-T1-GE3
SIR470DP-T1-GE3 ImageSIR470DP-T1-GE3 фотоSIR470DP-T1-GE3 PDF
SIR470DP-T1-GE3 DatasheetСкачать таблицу SIR470DP-T1-GE3Производитель Vishay / Siliconix
Связанные части для SIR470DP-T1-GE3
Образ Тип продуктов Описание производитель PDF Получить цитату
SIR466DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Vishay Siliconix
Получить цитату
SIR472ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 Electro-Films (EFI) / Vishay
Получить цитату
SIR470DP-T1-GE3 MOS VISHAY QFN VISHAY  
Получить цитату
SIR470DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Electro-Films (EFI) / Vishay  
Получить цитату
SIR468DP-T1-GE3 MOS VISHAY QFN8 VISHAY  
Получить цитату
SIR468DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Vishay Siliconix
Получить цитату
SIR4680DP-T1-GE3 VISHAY QFN VISHAY  
Получить цитату
SiR472DP MOS VISHAY DFN-856 VISHAY  
Получить цитату
SIR472ADP-T1  
Получить цитату
SIR472DP SIR472DP VISHAY VISHAY  
Получить цитату
SIR468DP-T1-GE3 MCU VISHAY QFN8 VISHAY  
Получить цитату
SiR470DP VISHAY DFN56 VISHAY  
Получить цитату
SIR466DP-T1-GE3 MOS VISHAY SON8 VISHAY  
Получить цитату
SIR472DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Vishay Siliconix
Получить цитату
SIR468DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Electro-Films (EFI) / Vishay  
Получить цитату
SIR472ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 Vishay Siliconix
Получить цитату
SiR468DP MOS VISHAY DFN-856 VISHAY  
Получить цитату
SiR472ADP VISHAY DFN56 VISHAY  
Получить цитату
SiR472DP-T1-E3 SiR472DP-T1-E3 VISHAY VISHAY  
Получить цитату
SiR470DP-T1-E3 SiR470DP-T1-E3 VISHAY VISHAY  
Получить цитату

Новости

Больше
Microchip's Polarfire SOC FPGA достигает ав...

Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...

Infineon выпускает многопользовате...

PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...

Запасы в области развития в США ...

Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...

Infineon и Eatron расширяют сотрудниче...

Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...

На полупроводнике запускает дат...

На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...

новые продукты

Больше
Фотоэлектрический датчик серии ...

Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...

Комплект оценки XC112 / XR112 для импу...

Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...

Сервоприводы и двигатели серии M...

Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...

Ультрафиолетовый светодиодный ...

Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...

Промышленный и расширенный тест...

Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...

Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.