SIR470DP-T1-GE3 | |
---|---|
Тип продуктов | SIR470DP-T1-GE3 |
производитель | Vishay Siliconix |
Описание | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Кол-во в наличии | 31246 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
Модель ECAD | |
Листки | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
SIR470DP-T1-GE3 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
Техническая информация SIR470DP-T1-GE3 | |||
---|---|---|---|
Номер изготовителя | SIR470DP-T1-GE3 | категория | |
производитель | Vishay / Siliconix | Описание | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Пакет / чехол | PowerPAK® SO-8 | Кол-во в наличии | 31246 pcs |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
Серии | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5660 pF @ 20 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Tc) |
Базовый номер продукта | SIR470 | ||
Скачать | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SIR470DP-T1-GE3
MOSFET мощный N-канала TrenchFET с высокой производительностью
Vishay / Siliconix
Технология MOSFET (металлоокислительный полупроводник)
Тип N-канал
Упаковка Tape & Reel (TR) для автоматической сборки
Совместимость с технологиями поверхностного монтажа (SMT)
Соответствие требованиям RoHS для экологической безопасности
Без свинца для снижения токсичности
Напряжение стока-истока (Vdss) 40V
Непрерывный ток стока (Id) 60A при 25°C (Tc)
Низкое сопротивление в открытом состоянии Rds On 2.3 мОм при 20A, 10V
Заряд затвора (Qg) 155nC при 10V
Входная емкость (Ciss) 5660pF при 20V
Способность выдерживать высокие температуры до 150°C (TJ)
Потеря мощности 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Напряжение порога затвора (Vgs(th)) 2.5V при 250A
Напряжение управления 4.5V (Макс Rds On), 10V (Мин Rds On)
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs max) ±20V
Корпус PowerPAK SO-8
Упаковка устройства поставщика PowerPAK SO-8
Упаковано в Tape & Reel (TR) для эффективных процессов сборки
Изготовлено известной компанией Vishay / Siliconix
Надежная конструкция для стабильной работы
Высокая способность пропускать ток
Улучшенная энергоэффективность с низким Rds On
Подходит для приложений с высокой плотностью мощности
Конкурентоспособный в области мощных дискретных полупроводников
Предлагает баланс между ценой и производительностью
Совместим с стандартными процессами SMT
Подходит для стандартных размеров и технологий сборки PowerPAK SO-8
Соответствует стандарту RoHS для экологической и потребительской безопасности
Разработан для долгого срока службы при заданных условиях
Управление мощностью для вычислительного и сетевого оборудования
DC/DC преобразователи
Двигатели
Системы с аккумуляторным питанием
Коммутирующие приложения, требующие эффективного контроля энергии
SIR470DP-T1-GE3 сток | SIR470DP-T1-GE3 Цена | SIR470DP-T1-GE3 Электроника | |||
SIR470DP-T1-GE3 Компоненты | SIR470DP-T1-GE3 Инвентарь | SIR470DP-T1-GE3 Digikey | |||
Поставщик SIR470DP-T1-GE3 | Заказать SIR470DP-T1-GE3 онлайн | Запрос SIR470DP-T1-GE3 | |||
SIR470DP-T1-GE3 Image | SIR470DP-T1-GE3 фото | SIR470DP-T1-GE3 PDF | |||
SIR470DP-T1-GE3 Datasheet | Скачать таблицу SIR470DP-T1-GE3 | Производитель Vishay / Siliconix |
Связанные части для SIR470DP-T1-GE3 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
![]() |
SIR466DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIR470DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
![]() |
SIR470DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIR468DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
![]() |
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIR4680DP-T1-GE3 | VISHAY QFN | VISHAY | ||
![]() |
SiR472DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
![]() |
SIR472ADP-T1 | ||||
![]() |
SIR472DP | SIR472DP VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SIR468DP-T1-GE3 MCU | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
![]() |
SiR470DP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
![]() |
SIR466DP-T1-GE3 MOS | VISHAY SON8 | VISHAY | ||
![]() |
SIR472DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
![]() |
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
![]() |
SiR468DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
![]() |
SiR472ADP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
![]() |
SiR472DP-T1-E3 | SiR472DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
![]() |
SiR470DP-T1-E3 | SiR470DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY |
Новости
БольшеMicrochip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
БольшеФотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.