| FDG6335N | |
|---|---|
| Тип продуктов | FDG6335N |
| производитель | onsemi |
| Описание | MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363 |
| Кол-во в наличии | 33000 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.FDG6335N.pdf2.FDG6335N.pdf3.FDG6335N.pdf4.FDG6335N.pdf5.FDG6335N.pdf6.FDG6335N.pdf7.FDG6335N.pdf8.FDG6335N.pdf |
| FDG6335N Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация FDG6335N | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | FDG6335N | категория | |
| производитель | onsemi | Описание | MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363 |
| Пакет / чехол | SC-88 (SC-70-6) | Кол-во в наличии | 33000 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | SC-88 (SC-70-6) | Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 700mA, 4.5V | Мощность - Макс | 300mW |
| Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 113pF @ 10V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| FET Характеристика | Logic Level Gate | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 700mA | конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Базовый номер продукта | FDG6335 | ||
| Скачать | FDG6335N PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
FDG6335N
Введение
Массив N-канальных двойных МОП-транзисторов для логических уровней
Бренд и производитель
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Характеристики
Двойная N-канальная конфигурация, управление затвором логического уровня, технология PowerTrench для оптимального RDS(on)
Производительность продукта
Высокий постоянный ток стока 700 мА, низкое сопротивление в открытом состоянии 300 мОм, высокая скорость переключения
Технические характеристики
Технология поверхностного монтажа, напряжение сток-исток 20 В, заряд затвора 1,4 нКл, входная ёмкость 113 пФ
Габариты, форма и упаковка
Упаковка 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, упаковка на ленте и катушке для автоматической сборки
Качество и надежность
Уровень чувствительности к влаге 1, мощность рассеивания 300 мВт
Преимущества продукта
Работа при высоких температурах (-55°C до +150°C), управление затвором логического уровня позволяет совместимость с цифровыми схемами
Конкурентоспособность продукта
Конкурентоспособное решение на рынке с двойными МОП-транзисторами, оптимизировано для управления энергией
Совместимость
Совместимость с технологией поверхностного монтажа, входы логического уровня соответствуют стандартной цифровой логике
Стандарты сертификации и соответствие
Без свинца, соответствие RoHS
Срок службы и устойчивость
Долговечность и надежность на длительный срок использования, разработано для устойчивого производства
Области реального применения
Управление энергией, переключающие приложения, портативные устройства, преобразование логических уровней
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ FDG6335N Online.
| FDG6335N сток | FDG6335N Цена | FDG6335N Электроника | |||
| FDG6335N Компоненты | FDG6335N Инвентарь | FDG6335N Digikey | |||
| Поставщик FDG6335N | Заказать FDG6335N онлайн | Запрос FDG6335N | |||
| FDG6335N Image | FDG6335N фото | FDG6335N PDF | |||
| FDG6335N Datasheet | Скачать таблицу FDG6335N | Производитель | |||
| Связанные части для FDG6335N | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
FDG6342L | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 | onsemi | ||
 |
FDG6332C-NL | FDG6332C-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDG6332C-F085P | DUAL NP MOS SC70-6 20V | onsemi | ||
 |
FDG6332C_F085 | FDG6332C_F085 N/A | N/A | ||
|
FDG6332C_NL | FDG6332C_NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
 |
FDG6332C IC | ON SC70-6 | ON | ||
|
FDG8842CZ IC | FAIRCHILD SOT-363 | FAIRCHILD | ||
|
FDG8842CZ MOS | FAIRCHILD SOT-363 | FAIRCHILD | ||
|
FDG6331L-NL | FDG6331L-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDG6335N-NL | FDG6335N-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDG8850NZ | MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88 | onsemi | ||
|
FDG8842CZ-NL | FDG8842CZ-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDG8850NZ-NL | FDG8850NZ-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDG6335N MOS | FAIRCHILD SOT-363 | FAIRCHILD | ||
|
FDG8842CZ | MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6 | onsemi | ||
|
FDG6332C MOS | ON SC70-6 | ON | ||
|
FDG8850NZ MOS | VBSEMI SC70 | VBSEMI | ||
|
FDG6332C-F085 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | onsemi | ||
|
FDG6332C-PG | MOSFET N P-CH 20V SC70-6 | onsemi | ||
|
FDG6332C | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | onsemi | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Фотоэлектрический датчик серии PD30 Миниатюрные фотоэл...
Комплект оценки XC112 / XR112 для импульсного когерентного радиолокатора A111Сравнитель...
Сервоприводы и двигатели серии MINAS A6 Семейство Panasonic MINA...
Ультрафиолетовый светодиодный драйвер Ультрафиолето...
Промышленный и расширенный тест DDR SDRAM Устройства Insignis ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.