Модель продукта

FDG8842CZ

Введение

MOSFET-массив с каналом N и P

Бренд и производитель

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Характеристики

Логический уровень затвора, комбинация каналов N и P, технология PowerTrench

Производительность продукта

Конструкция ячеек высокой плотности, низкое Rds On, высокая скорость переключения

Технические характеристики

Тип FET: канал N и P, напряжение сток-исток (Vdss): 30В, 25В, ток - непрерывный сток (Id): 750мА (канал N), 410мА (канал P), максимальная мощность: 300мВт, Rds On: 400 мОм при 750мА, 4.5В

Габариты, форма и упаковка

Корпус / упаковка: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, поставщик упаковки: SC-70-6, упаковка: Digi-Reel

Качество и надежность

Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (без ограничений)

Преимущества продукта

Технология PowerTrench для оптимального Rds On и характеристик переключения

Конкурентоспособность продукта

Оптимизирован для портативных и систем управления энергией

Совместимость

Совместимость с поверхностным монтажом

Стандарты сертификации и соответствие

Без свинца / Соответствует стандарту RoHS

Срок службы и устойчивость

Расширенный диапазон рабочих температур: -55°C ~ 150°C (TJ)

Области реального применения

Схемы управления энергией, системы на батарейном питании, переключатели нагрузки, преобразование энергии

FDG8842CZ являются новыми и оригинальными в наличии, найдите запас компонентов электроники FDG8842CZ, таблицу, инвентарь и цену на сайте Ariat-Tech.com, закажите FDG8842CZ onsemi с гарантией и доверием от Ariat Technology Limitd. Доставка через DHL / FedEx / UPS. Оплата банковским переводом или PayPal в порядке.
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ FDG8842CZ Online.