| SI7792DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Тип продуктов | SI7792DP-T1-GE3 |
| производитель | Vishay Siliconix |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| Кол-во в наличии | 2575 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.SI7792DP-T1-GE3.pdf2.SI7792DP-T1-GE3.pdf |
| SI7792DP-T1-GE3 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация SI7792DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | SI7792DP-T1-GE3 | категория | |
| производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay | Описание | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| Пакет / чехол | PowerPAK® SO-8 | Кол-во в наличии | 2575 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4735 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | Schottky Diode (Body) | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 40.6A (Ta), 60A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SI7792 | ||
| Скачать | SI7792DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Модель продукта
SI7792DP-T1-GE3
Введение
N-канальный силовой MOSFET с шоттки-диодом
Бренд и производитель
Electro-Films (EFI) / Vishay
Характеристики
MOSFET (металлический оксид)
N-канальный
Интегрированный шоттки-диод (диод корпуса)
Высокий постоянный ток стока
Без свинца / Соответствует RoHS
Технология поверхностного монтажа
Производительность продукта
Высокая мощность рассеяния
Эффективное управление теплом
Низкое сопротивление перехода Rds On для повышения эффективности
Высокое напряжение сток-исток
Быстрое переключение
Технические характеристики
Напряжение сток-исток 30В
Постоянный ток стока от 40.6А до 60А
Сопротивление Rds On 2.1 мОм при 20А, 10В
Напряжение управления от 4.5В до 10В
Заряд затвора 135нК при 10В
Входная емкость 4.735нФ при 15В
Напряжение затвор-исток ±20В
Габариты, форма и упаковка
Корпус PowerPAK SO-8
Упаковка в ленте и катушке для автоматической сборки
Качество и надежность
Уровень чувствительности к влаге 1
Надежная конструкция для долговечности
Преимущества продукта
Низкие потери на проводимость
Возможности быстрого переключения
Эффективное преобразование энергии
Конкурентоспособность продукта
Технология TrenchFET Gen III для превосходной производительности
Серия SkyFET, известная качеством
Совместимость
Совместим с другими устройствами поверхностного монтажа
Интегрированный диод корпуса для упрощенного проектирования схем
Стандарты сертификации и соответствие
Без свинца
Согласно RoHS
Срок службы и устойчивость
Разработан для долгосрочной надежности
Области реального применения
Управление энергией
DC/DC преобразователи
Приводы двигателей
Компьютерные технологии
Телекоммуникации
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ SI7792DP-T1-GE3 Online.
| SI7792DP-T1-GE3 сток | SI7792DP-T1-GE3 Цена | SI7792DP-T1-GE3 Электроника | |||
| SI7792DP-T1-GE3 Компоненты | SI7792DP-T1-GE3 Инвентарь | SI7792DP-T1-GE3 Digikey | |||
| Поставщик SI7792DP-T1-GE3 | Заказать SI7792DP-T1-GE3 онлайн | Запрос SI7792DP-T1-GE3 | |||
| SI7792DP-T1-GE3 Image | SI7792DP-T1-GE3 фото | SI7792DP-T1-GE3 PDF | |||
| SI7792DP-T1-GE3 Datasheet | Скачать таблицу SI7792DP-T1-GE3 | Производитель Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| Связанные части для SI7792DP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Образ | Тип продуктов | Описание | производитель | Получить цитату | |
 |
SI7784DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7790DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
 |
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7802DN | SI7802DN SI | SI | ||
|
SI7784DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7804DN | SI7804DN SI | SI | ||
|
SI7784DP | VISHAY | |||
|
SI7794DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
Si7790DP-T1-E3 | Si7790DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7798DP-T1-GE3 | SI7798DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7800ADN | SI7800ADN SI | SI | ||
|
SI7788DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
Новости
Больше
Microchip Polarfire® SOC FPGA получила сертификацию AEC -Q100, подтверждая ее надежность в суровых...
PSOCTM 4000T является первым продуктом Infineon, который представляет технологию Capsense ™ Pifsh...
Исполнительный директор поставщика автомобилей сообщил, что разработка EV на севе...
Infineon и Eatron расширяют свою систему управления аккумуляторами (BMS) AI (BMS) в промышленн...
На полупроводнике недавно было объявлено о запуске своего первого, непрямого дат...
новые продукты
Больше
Модули Bluetooth® Xpress и платформа разработкиSilicon Labs Blue Gecko Xpress BGX13 - это беспроводной мо...
EFR32 ™ Flex Gecko Sub-GHz и 2.4 ГГц собственные беспроводные старт...
Набор для разработки Wi-Fi для модуля Zentri AMW007-E03 Комплект ...
Si3404 и Si3406x с питанием от сети (PoE) Высокопроизводительны...
Семейство цифровых изоляторов Si86xx Цифровые изоляторы ...
Эл. адрес: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОБАВЛЯТЬ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Коулун, Гонконг.
Уведомление об авторских правах © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Все права защищены.