| SI7772DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Тип продуктов | SI7772DP-T1-GE3 |
| производитель | Vishay Siliconix |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
| Кол-во в наличии | 17565 pcs new original in stock. Запросить акции и предложения |
| Модель ECAD | |
| Листки | 1.SI7772DP-T1-GE3.pdf2.SI7772DP-T1-GE3.pdf3.SI7772DP-T1-GE3.pdf4.SI7772DP-T1-GE3.pdf |
| SI7772DP-T1-GE3 Price |
Запросить цену и время выполнения заказа or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Техническая информация SI7772DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Номер изготовителя | SI7772DP-T1-GE3 | категория | |
| производитель | Vishay / Siliconix | Описание | MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
| Пакет / чехол | PowerPAK® SO-8 | Кол-во в наличии | 17565 pcs |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | SkyFET®, TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 15A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) | Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1084 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 35.6A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SI7772 | ||
| Скачать | SI7772DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Напишите нам: Info@Ariat-Tech.com или RFQ SI7772DP-T1-GE3 Online.
| SI7772DP-T1-GE3 сток | SI7772DP-T1-GE3 Цена | SI7772DP-T1-GE3 Электроника |
| SI7772DP-T1-GE3 Компоненты | SI7772DP-T1-GE3 Инвентарь | SI7772DP-T1-GE3 Digikey |
| Поставщик SI7772DP-T1-GE3 | Заказать SI7772DP-T1-GE3 онлайн | Запрос SI7772DP-T1-GE3 |
| SI7772DP-T1-GE3 Image | SI7772DP-T1-GE3 фото | SI7772DP-T1-GE3 PDF |
| SI7772DP-T1-GE3 Datasheet | Скачать таблицу SI7772DP-T1-GE3 | Производитель Vishay / Siliconix |
